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Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Grundlagen mikroelek Ulrich Hilleringmann Textbook 20146th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2014 10 nm

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發(fā)表于 2025-3-21 16:07:56 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
書目名稱Silizium-Halbleitertechnologie
副標(biāo)題Grundlagen mikroelek
編輯Ulrich Hilleringmann
視頻videohttp://file.papertrans.cn/868/867364/867364.mp4
概述Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen.Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik.Aktuelle Verfahren der mikroelektronische
圖書封面Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Grundlagen mikroelek Ulrich Hilleringmann Textbook 20146th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2014 10 nm
描述Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 10 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
出版日期Textbook 20146th edition
關(guān)鍵詞10 nm; Anforderung; Anwender; Atomic; Ausstattungen; Bipolar-Technologie; Bipolarschaltung; Bipolartechnik;
版次6
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-8348-2085-3
isbn_ebook978-3-8348-2085-3
copyrightSpringer Fachmedien Wiesbaden 2014
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書目名稱Silizium-Halbleitertechnologie影響因子(影響力)




書目名稱Silizium-Halbleitertechnologie影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Silizium-Halbleitertechnologie網(wǎng)絡(luò)公開度




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書目名稱Silizium-Halbleitertechnologie被引頻次




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 22:43:40 | 只看該作者
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 03:03:58 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 07:01:09 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 09:59:44 | 只看該作者
Montage integrierter Schaltungen,Zur Einh?usung der Chips müssen die Siliziumscheiben nach der Prozessierung vorbehandelt werden. Anschlie?end folgen das Zerlegen der Scheiben in Chips, das Einkleben ins Geh?use sowie die Verdrahtung der Anschlüsse von den Pads auf dem Chip zum Geh?useanschluss. Neben den Einzeldrahtverfahren werden Komplettkontaktierungsverfahren vorgestellt.
6#
發(fā)表于 2025-3-22 14:53:16 | 只看該作者
Ulrich HilleringmannUmfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen.Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik.Aktuelle Verfahren der mikroelektronische
7#
發(fā)表于 2025-3-22 20:39:14 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-23 01:10:02 | 只看該作者
http://image.papertrans.cn/s/image/867364.jpg
9#
發(fā)表于 2025-3-23 02:43:57 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2085-310 nm; Anforderung; Anwender; Atomic; Ausstattungen; Bipolar-Technologie; Bipolarschaltung; Bipolartechnik;
10#
發(fā)表于 2025-3-23 05:46:00 | 只看該作者
Oxidation des Siliziums,n Modell über einen linearen und einen parabolischen Anteil beschrieben. Es ist sowohl für die trockene als auch für die feuchte Oxidation gültig. Auch Abscheideverfahren für Siliziumdioxid werden angesprochen.
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