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Titlebook: Bau hybrider Mikroschaltungen; Einführung in die Dü Ernst Lüder Textbook 1977 Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg 1977 Dickschichttechnik.Di

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發(fā)表于 2025-3-23 13:25:15 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 17:18:02 | 只看該作者
Teubner-Studienskripten Elektrotechnikufzubringen. Man verwendet das vom graphischen Gewerbe her bekannte Siebdruckverfahren [9, 13]. Dabei pre?t ein bewegtes Rakel nach Bild 26 eine Paste durch die ?ffnungen eines Siebes auf die Substratoberfl?che. Die Paste besitzt die für die elektrischen Bauteile jeweils n?tige Zusammensetzung.
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發(fā)表于 2025-3-23 19:58:51 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 00:36:02 | 只看該作者
978-3-540-08289-7Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg 1977
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發(fā)表于 2025-3-24 05:59:55 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 06:41:40 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-662-00812-6zelhalbleiter und zum anderen passive Elemente, wie Ohm widerst?nde, Kondensatoren und Leiterbahnen in Schichttechnik. Dieser gemischte Aufbau miniaturisierter Schaltungen gestattet es, aus jeder der beiden Techniken die für die jeweilige Anwendung passenden Teile auszuw?hlen.
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發(fā)表于 2025-3-24 11:54:12 | 只看該作者
Hochfrequenztechnik in Funk und Radar-Einkristalle (Saphir) sowie polykristallines Beryllium verwendet. Die Al-Keramik wird aus einer Mischung von Al.O.- und Glas-Pulver durch Sintern bei maximal 1500°C hergestellt. Die Eigenschaften nach dem Sintern werden mit dem Zusatz “as fired” bezeichnet. Eine glattere Oberfl?che erh?lt man durch
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發(fā)表于 2025-3-24 17:16:06 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 22:28:55 | 只看該作者
Friederike Wawrik,N.-?. Scheibbs3]. Als Bindungskr?fte treten auf: Ionen-Bindungen als elektrostatische Kr?fte zwischen positiv und negativ geladenen Ionen, kovalente Bindungen, bei denen sich einzelne Atome in Elektronen teilen, metallische Bindungen zwischen positiv geladenen Atomen des Gitters und freien Elektronen und van der
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發(fā)表于 2025-3-25 01:01:52 | 只看該作者
Einteilung der Machschen Zonen,hteten, Bild 131 einen koplanaren Aufbau. Die Wirkungsweise wird am schematischen und idealisierten Aufbau in Bild 132 untersucht, in dem die Bezeichnungen und der übliche Wertebereich für die geometrischen Abmessungen angegeben sind. Den folgenden überlegungen liegt ein n-leitender Halbleiter zu Gr
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