找回密碼
 To register

QQ登錄

只需一步,快速開始

掃一掃,訪問微社區(qū)

打印 上一主題 下一主題

Titlebook: Bau hybrider Mikroschaltungen; Einführung in die Dü Ernst Lüder Textbook 1977 Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg 1977 Dickschichttechnik.Di

[復制鏈接]
樓主: 連結
21#
發(fā)表于 2025-3-25 05:37:04 | 只看該作者
,Einführung und überblick,zelhalbleiter und zum anderen passive Elemente, wie Ohm widerst?nde, Kondensatoren und Leiterbahnen in Schichttechnik. Dieser gemischte Aufbau miniaturisierter Schaltungen gestattet es, aus jeder der beiden Techniken die für die jeweilige Anwendung passenden Teile auszuw?hlen.
22#
發(fā)表于 2025-3-25 11:34:30 | 只看該作者
23#
發(fā)表于 2025-3-25 12:55:37 | 只看該作者
Dickschichttechnik,ufzubringen. Man verwendet das vom graphischen Gewerbe her bekannte Siebdruckverfahren [9, 13]. Dabei pre?t ein bewegtes Rakel nach Bild 26 eine Paste durch die ?ffnungen eines Siebes auf die Substratoberfl?che. Die Paste besitzt die für die elektrischen Bauteile jeweils n?tige Zusammensetzung.
24#
發(fā)表于 2025-3-25 17:13:25 | 只看該作者
Bonden,3]. Als Bindungskr?fte treten auf: Ionen-Bindungen als elektrostatische Kr?fte zwischen positiv und negativ geladenen Ionen, kovalente Bindungen, bei denen sich einzelne Atome in Elektronen teilen, metallische Bindungen zwischen positiv geladenen Atomen des Gitters und freien Elektronen und van der
25#
發(fā)表于 2025-3-25 23:53:38 | 只看該作者
26#
發(fā)表于 2025-3-26 00:43:04 | 只看該作者
27#
發(fā)表于 2025-3-26 05:33:45 | 只看該作者
Friederike Wawrik,N.-?. Scheibbsdenen sich einzelne Atome in Elektronen teilen, metallische Bindungen zwischen positiv geladenen Atomen des Gitters und freien Elektronen und van der Waalsche Kr?fte, die durch Elektronen in benachbarten Atomen hervorgerufen werden. Letzere üben einen schwachen Einflu? aus.
28#
發(fā)表于 2025-3-26 10:23:50 | 只看該作者
Einteilung der Machschen Zonen,ungen und der übliche Wertebereich für die geometrischen Abmessungen angegeben sind. Den folgenden überlegungen liegt ein n-leitender Halbleiter zu Grunde. Bei p-leitender Schicht vertauschen sich die Vorzeichen der Spannungen und Str?me.
29#
發(fā)表于 2025-3-26 13:21:34 | 只看該作者
30#
發(fā)表于 2025-3-26 16:53:15 | 只看該作者
,Dünnschichttransistoren,ungen und der übliche Wertebereich für die geometrischen Abmessungen angegeben sind. Den folgenden überlegungen liegt ein n-leitender Halbleiter zu Grunde. Bei p-leitender Schicht vertauschen sich die Vorzeichen der Spannungen und Str?me.
 關于派博傳思  派博傳思旗下網站  友情鏈接
派博傳思介紹 公司地理位置 論文服務流程 影響因子官網 吾愛論文網 大講堂 北京大學 Oxford Uni. Harvard Uni.
發(fā)展歷史沿革 期刊點評 投稿經驗總結 SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系數 清華大學 Yale Uni. Stanford Uni.
QQ|Archiver|手機版|小黑屋| 派博傳思國際 ( 京公網安備110108008328) GMT+8, 2025-10-13 08:05
Copyright © 2001-2015 派博傳思   京公網安備110108008328 版權所有 All rights reserved
快速回復 返回頂部 返回列表
于都县| 凤庆县| 曲靖市| 通州区| 和龙市| 平罗县| 论坛| 宜丰县| 台东县| 崇仁县| 武定县| 临邑县| 内黄县| 昂仁县| 麻阳| 华安县| 永平县| 辛集市| 蛟河市| 旌德县| 西华县| 道真| 临漳县| 绍兴市| 武鸣县| 普定县| 英吉沙县| 怀远县| 云阳县| 罗甸县| 金沙县| 天峨县| 巴楚县| 云南省| 青阳县| 宿松县| 皮山县| 桐梓县| 商城县| 苍山县| 大竹县|