Titlebook: Verst?rkertechnik; Dietmar Ehrhardt Book 1992 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden 1992 Entwurf.Handel.Ph

Pantry

HF-Verhalten von Feldeffekttransistoren,Laufzeit der Ladungstr?ger ist abh?ngig von ihrer Beweglichkeit. Daher sind N-Kanal-FETs im allgemeinen schneller als P-Kanal-FETs, da Elektronen im Silizium eine etwa 3 mal h?here Beweglichkeit besitzen als L?cher. Die Beweglichkeit der Elektronen betr?gt etwa . und die der L?cher ca.

ARCH

,Feldeffekttransistor als Leistungsverst?rker,e Ausnutzung der Chipfl?che und die erreichbaren Daten angeht. Die Entwicklung der Power-FETs reicht daher vom a) konventionellen MOSFET über b) den lateralen, doppelt diffundierten MOSFET und c) den VMOS bis hin zu d) dem SIPMOS bzw. TMOS Transistor.

Engaged

avarice

Komparatoren,ngsspannung anliegt. Dabei ist der Verst?rker übersteuert und folgt bei einem Wechsel der Eingangsspannung nur mit gro?er Zeitverz?gerung (Slew-Rate-Problem). Abhilfe schafft der Einsatz eines speziell für Schalteranwendungen konzipierten Operationsverst?rkers, des ?Komparators“.

白楊

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雪上輕舟飛過

白楊

,Einführung,Am einfachsten definiert man ihn als Black-Box. Wenn nun die Leistung, die man dem Ausgang entnehmen kann, gr??er ist als die Leistung, die man dem Eingang zuführen mu?, spricht man von einem ..

IDEAS

Bipolartransistoren,Man unterscheidet zwei Arten von Bipolartransistoren entsprechend der Schichtenfolge ihres Dotierungsprofils, n?mlich NPN- und PNP-Transistoren. Der übersichtlichkeit wegen wird die Wirkungsweise nur an Hand des NPN-Transistors erl?utert. Für den PNP-Typ gilt das entsprechende mit den für diesen Transistor angepa?ten Gr??en und Vorzeichen.

ATRIA

物種起源