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Titlebook: Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker; Heinz Beneking,J?rg Naumann,Heinz Storck Book 1973 Springer Fachmedien Wiesbaden 1973 En

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 16:51:14 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker
編輯Heinz Beneking,J?rg Naumann,Heinz Storck
視頻videohttp://file.papertrans.cn/944/943695/943695.mp4
叢書名稱Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen
圖書封面Titlebook: Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker;  Heinz Beneking,J?rg Naumann,Heinz Storck Book 1973 Springer Fachmedien Wiesbaden 1973 En
出版日期Book 1973
關(guān)鍵詞Entwurf; Halbleiter; Optimierung; Technologie; Verfahren
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-322-88336-0
isbn_softcover978-3-531-02295-6
isbn_ebook978-3-322-88336-0
copyrightSpringer Fachmedien Wiesbaden 1973
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書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker影響因子(影響力)




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker網(wǎng)絡(luò)公開度




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker被引頻次




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker被引頻次學(xué)科排名




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker年度引用




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker年度引用學(xué)科排名




書目名稱Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker讀者反饋




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 21:23:53 | 只看該作者
,Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker, mit GHz-Feldeffekt-Transistoren realisieren lassen. Wie die Ergebnisse zeigen, l??t sich das Prinzip des vollintegrierten Verst?rkers, bei dem sowohld die aktiven Elemente als auch die Verz?gerugsleitungen auf Halbleitermaterial aufgebaut sind, verwirklichen. Wegen der Schwierigkeit, an vorbestimmt
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 04:14:59 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 05:25:13 | 只看該作者
,GaAs-MeSFET mit Streifenleitungsanschlüssen (11),rain durch die Raumladungszone eines Schottkykontaktes gesteuert (12). In Abb. 2 ist der schematische Aufbau zu sehen. Der Strom flie?t vom Sourcekontakt durch die dünne n-leitende Epitaxieschicht zum Drainkontakt.
5#
發(fā)表于 2025-3-22 09:27:45 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 15:59:09 | 只看該作者
,Rechnergestütztes Entwurfsverfahren (47),heit und Ein- und Ausgangskapazit?ten. Hierbei werden die konzentrierten Filterketten mit der Wellengr??entheorie behandelt, und deren Anpassung (Grund-Halbglieder, ebnende Halbglieder und überbrückte T-Glieder) wird untersucht (2), (62) bis (70). Es wird versucht, den bei h?heren Frequenzen starken
7#
發(fā)表于 2025-3-22 18:43:25 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 21:24:48 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 04:28:12 | 只看該作者
,Untersuchungen über integrierte Kettenverst?rker,d die aktiven Elemente als auch die Verz?gerugsleitungen auf Halbleitermaterial aufgebaut sind, verwirklichen. Wegen der Schwierigkeit, an vorbestimmten Orten des Substrates aktive Elemente mit vorgegebenen Eigenschaften erzeugen zu müssen, emfiehlt sich zur Zeit noch ein hybrider Aufbau.
10#
發(fā)表于 2025-3-23 08:18:04 | 只看該作者
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