Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Ulrich Hilleringmann Book 19992nd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 1999 Bauelement.Elektronik.Elektro

Brittle

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an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zus?tzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetal978-3-322-94053-7

干旱

Einleitung,monstriert die Leistungsf?higkeit der Halbleitertechnologie in eindrucksvoller Weise. Strukturgr??en von 250 nm Weite, die noch vor wenigen Jahren mit optischer Lithografietechnik als unerreichbar galten, werden zurzeit in der Produktion eingesetzt. Ein Ende der Miniaturisierung ist nicht absehbar.

growth-factor

違抗

Oxidation des Siliziums,schichten sind aber auch für die elektrische Funktion der Bauelemente erforderlich. Der jeweiligen Anforderung entsprechend sind Verfahren zum Aufbringen von Oxiden auf die Siliziumscheibe entwickelt worden, die sich in Wachstum und Qualit?t der entstehenden Schicht unterscheiden.

Torrid

Lithografie, Fotomaske in einem dünnen, strahlungsempfindlichen Film, meist einer organischen Fotolackschicht, auf der oxidierten Halbleiterscheibe erzeugt und in speziellen ?tzverfahren in die darunter liegenden Schichten übertragen. In einigen F?llen, z. B. bei der Zonenimplantation, dient der Fotolack selbst

場所

,?tztechnik,n jeweiligen Metallsiliziden ge?tzt werden. Die ?tztechnik dient dabei zum ganzfl?chigen Abtragen eines Materials oder zum übertragen der Struktur des lithografisch erzeugten Lackmusters in die darunter liegende Schicht. Für diese Aufgabe bieten sich einerseits nasschemische ?tzl?sungen an, zum ande

拖網

Dotiertechniken,stall werden im Verlauf der Herstellung gezielt unterschiedliche Dotierstoffe eingebracht, die in festgelegten Gebieten der Halbleiteroberfl?che zu einer Verst?rkung, Abschw?chung oder Umkehrung der Substratdotierung führen. Die eingebrachte Dotierung ?ndert die elektrischen Eigenschaften des Silizi

愚笨

Depositionsverfahren,d gleichzeitig eine geringe Konzentration an Verunreinigungen aufweisen. Diese Schichten sollten sich bei m?glichst geringer Temperatur auf allen anderen in der Halbleitertechnologie verwendeten Materialen spannungsfrei abscheiden lassen. Die für diese Zwecke entwickelten Depositionsverfahren lassen

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