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Titlebook: Semiconductor Modeling Techniques; Naci Balkan,Marie Xavier Book 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012 modelling vertical cavity dev

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發(fā)表于 2025-3-21 19:56:06 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
書(shū)目名稱Semiconductor Modeling Techniques
編輯Naci Balkan,Marie Xavier
視頻videohttp://file.papertrans.cn/865/864857/864857.mp4
概述Provides valuable guidance to researchers about theoretical methods in semiconductor physics.Gives important information for research of electronic and optoelectronic devices.Displays examples from cu
叢書(shū)名稱Springer Series in Materials Science
圖書(shū)封面Titlebook: Semiconductor Modeling Techniques;  Naci Balkan,Marie Xavier Book 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012 modelling vertical cavity dev
描述This book describes the key theoretical techniques for semiconductor research to quantitatively calculate and simulate the properties. It presents particular techniques to study novel semiconductor materials, such as 2D heterostructures, quantum wires, quantum dots and nitrogen containing III-V alloys. The book is aimed primarily at newcomers working in the field of semiconductor physics to give guidance?in theory?and experiment. The theoretical techniques for electronic and optoelectronic devices are explained in detail.
出版日期Book 2012
關(guān)鍵詞modelling vertical cavity devices; optical and electronic materials; optoelectronic devices; pseudo-pot
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-642-27512-8
isbn_softcover978-3-642-43467-9
isbn_ebook978-3-642-27512-8Series ISSN 0933-033X Series E-ISSN 2196-2812
issn_series 0933-033X
copyrightSpringer-Verlag Berlin Heidelberg 2012
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書(shū)目名稱Semiconductor Modeling Techniques影響因子(影響力)




書(shū)目名稱Semiconductor Modeling Techniques影響因子(影響力)學(xué)科排名




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 22:23:05 | 只看該作者
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 03:24:03 | 只看該作者
地板
發(fā)表于 2025-3-22 07:49:55 | 只看該作者
Semiconductor Modeling Techniques978-3-642-27512-8Series ISSN 0933-033X Series E-ISSN 2196-2812
5#
發(fā)表于 2025-3-22 11:31:04 | 只看該作者
Theory and Modelling for the Nanoscale: The ,* Tight Binding Approach,. We insist on the method’s ability to account for atomistic symmetries and to treat all the energy scales of electronic structures (from sub-meV quantities such as spin splittings to full-band properties like the optical index) using a single set of material parameters.
6#
發(fā)表于 2025-3-22 14:50:57 | 只看該作者
7#
發(fā)表于 2025-3-22 20:20:17 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 22:39:33 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 04:49:11 | 只看該作者
10#
發(fā)表于 2025-3-23 06:12:58 | 只看該作者
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