Titlebook: Reaktionen in und an Festen Stoffen; Karl Hauffe Conference proceedings 19551st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1955 Chemische R

得罪

Einleitung,u kl?ren, wo die entscheidenden Vorg?nge sich in oder an einem festen K?rper abspielen, wie z. B. bei Zundervorg?ngen an Metallen und Legierungen, bei Reduktionsvorg?ngen an Erzen, bei Ausscheidungs- und Aush?rtungsvorg?ngen in Metallegierungen und bei keramischen Reaktionen. Nicht nur fehlte es h?u

亞當(dāng)心理陰影

obstruct

Fehlordnung und elektrisches Verhalten der Ionen- und Valenzkristalle,inder starkem hom?opolarem Bindungsanteil — schlie?en müssen, ist ein ideales Kristallgitter, wie bereits erw?hnt, nur ein idealer Grenzfall, der selbst bei st?chiometrisch zusammengesetzten Kristallen oberhalb 0°K nicht realisierbar ist. Schon bei Zimmertemperatur und Atmosph?rendruck wird eine meh

Acetaminophen

,Randschichterscheinungen an halbleitenden Kristallen und Chemisorption von Gasen an Festk?rpern,behandelt worden, da? die im gesamten Kristall homogen verteilten Ionen- und Elektronenfehlordnungsstellen mit der den Kristall umgebenden Gasatmosph?re im thermodynamischen Gleichgewicht stehen. Diese Gleichgewichtseinstellung kann durch Wahl einer genügend hohen Versuchstemperatur h?ufig erreicht

Minatory

,Diffusionsvorg?nge in festen Stoffen,fe r?umlich voneinander trennt, ist ein weiteres Fortschreiten der Reaktion nur dadurch m?glich, da? mindestens einer der Reaktionspartner durch die feste Phase des Reaktionsproduktes wandert. Da bei h?heren Temperaturen die eigentliche chemische Reaktion an der Phasengrenze bei der weitaus gr??ten

持久

COST

,Der Mechanismus der Bildung von Ionenverbindungen h?herer Ordnung durch Reaktion im festen Zustand,iziert sein. Zu seiner Aufkl?rung haben wir uns der Theorie der Diffusion mit quasi-neutralen Fehlordnungsstellen- Gradienten, der Chemisorption (Randschichttheorie) und des Auftretens elektrischer Felder in Reaktionsproduktschichten bedient. W?hrend der Oxydationsmechanismus von reinen Metallen bei

extinct

,über Reduktions- und R?stprozesse, langsam mit den Reaktionsgasen reagieren. Die Ursache des unterschiedlichen Verhaltens, das in zahlreichen Einzelarbeiten beobachtet und beschrieben wurde, ist bis auf wenige Reaktionen auch heute noch ungenügend aufgekl?rt. Erst nach den in den vorangehenden Kapiteln behandelten Fehlordnungs- und

開(kāi)始從未

,Schlu?betrachtungen und Ausschau,ellt jedoch den Festk?rper-Chemiker und -Physiker vor immer neue Probleme und Aufgaben, deren L?sung nur dann mit Erfolg m?glich ist, wenn man kritisch prüfend die Vielzahl der Einzelbeobachtungen aus der Festk?rperphysik (über den realen Aufbau der Kristalle, die Thermodynamik und Kinetik der den K

Acetaldehyde

,Randschichterscheinungen an halbleitenden Kristallen und Chemisorption von Gasen an Festk?rpern,ungsstellen im Kristall abh?ngen wird. Die Einstellung eines thermodynamischen Gleichgewichts in endlichen Zeiten ist an eine genügend hohe Platzwechsel- bzw. Diffusionsgeschwindigkeit der Ionenfehlordnungsstellen gebunden.