Titlebook: Rauschen; Zweite, überarbeitet Rudolf Müller Textbook 1990Latest edition Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1990 Bauelemente.Dioden.Feldeff

用肘

Beschreibung des Rauschens im Zeitbereich,erten) Verst?rkers. Diese Gr??e . (.) ist nicht reproduzierbar, d.h. ein anderer identisch aufgebauter Verst?rker wird eine andere Zeitfunktion für die Ausgangsspannung abgeben, oder auch wiederholte Messungen am gleichen Verst?rker ergeben jedesmal andere Zeitverl?ufe. Für eine Rauschgr??e ist also eine Zeitfunktion nicht vorhersagbar.

dearth

Beschreibung des Rauschens im Frequenzbereich,es ein Ma? für die gesamte im Rauschvorgang vorhandene Leistung ist, definiert man hier eine sog. spektrale Leistungsdichte .(.), also die ?Leistung“ im Frequenzband der Breite 1 Hz bei der Frequenz ..

繁忙

,Rauschme?technik, Abh?ngigkeit des Generatorwiderstandes bestimmt werden, um damit die Auswertung hinsichtlich anderer Kenngr??en zu erm?glichen. Allgemein wird man dabei versuchen, die Messung selbst m?glichst ?hnlich der Definition der entsprechenden Kenngr??en vorzunehmen.

Spangle

Dioden,hen wie in .-Dioden, d.h. Schrotrauschen ist der dominierende Effekt; die Verlustwiderst?nde rauschen thermisch. Bei tiefen Frequenzen kann das Generations-Rekombinations-Rauschen zu einem 1/.-Rauschen führen. Als erstes wird daher das Schrotrauschen behandelt.

MERIT

Bipolare Transistoren,hen wie in .-Dioden, d.h. Schrotrauschen ist der dominierende Effekt; die Verlustwiderst?nde rauschen thermisch. Bei tiefen Frequenzen kann das Generations-Rekombinations-Rauschen zu einem 1/.-Rauschen führen. Als erstes wird daher das Schrotrauschen behandelt.

鑲嵌細工

Feldeffekttransistoren,Feldeffekttransistoren (FET) sind gesteuerte Widerst?nde (z.B. [11, 109]). Daher wird das thermische Rauschen dieser ?Widerst?nde“, der Kan?le, eine dominierende Rolle spielen.

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Diatribe

978-3-540-51145-8Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1990