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Titlebook: Quantum Systems in Physics, Chemistry, and Biology; Advances in Concepts Alia Tadjer,Rossen Pavlov,Gerardo Delgado-Barrio Conference procee

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樓主: mentor
41#
發(fā)表于 2025-3-28 16:12:02 | 只看該作者
N. Chamel,Y. D. Mutafchieva,Zh. K. Stoyanov,L. M. Mihailov,R. L. Pavlovdes Innenschirmes eher als die Dicke des Au?enschirmes .. im Sinne eines erh?hten magnetischen Schirmfaktors zu erh?hen oder sollte prim?r die Dicke des Au?enschirmes erh?ht werden?.Bevor auf den Doppelschirm eingegangen wird, sind am Beispiel eines Einfachschirmes einige Begriffe zu erkl?ren..Aus d
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發(fā)表于 2025-3-28 19:44:24 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 23:04:58 | 只看該作者
J. ?mydke,J. Ajay,F. Remacle,R. D. Levineen Metallschicht, die zu Mehrfachreflektionen der HF-Strahlung führen. Oder sie stehen als Sintermaterialien wie SMD-Ferrite/Klappferrite zur Verfügung. Die Reflektionen k?nnen lokale Feldst?rkeüberh?hungen innerhalb von elektronischen Ger?ten erzeugen und zu St?rungen führen..Die Nachteile von vorh
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發(fā)表于 2025-3-29 03:59:17 | 只看該作者
Olga A. Guskovaial)- und CRAM (Currentless Radioabsorbing Material)-Materialien 1; . Der Unterschied der CRAM- und RAM-Materialien liegt darin, dass die RAM von Strom durchflossen sind und die CRAM nicht. Die Unterteilung ist deutlicher in Abb.?2.1 zu sehen..Unter den RAM-Materialien versteht man die leitf?higen H
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發(fā)表于 2025-3-29 08:24:32 | 只看該作者
Svetoslav Rashev,David C. Mouledes Innenschirmes eher als die Dicke des Au?enschirmes .. im Sinne eines erh?hten magnetischen Schirmfaktors zu erh?hen oder sollte prim?r die Dicke des Au?enschirmes erh?ht werden?.Bevor auf den Doppelschirm eingegangen wird, sind am Beispiel eines Einfachschirmes einige Begriffe zu erkl?ren..Aus d
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發(fā)表于 2025-3-29 12:10:01 | 只看該作者
L. Lacombe,M. Vincendon,P. M. Dinh,P.-G. Reinhard,E. Suraud
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發(fā)表于 2025-3-29 18:24:19 | 只看該作者
B. N. Plakhutin,A. V. Novikov,N. E. Polygalova,T. E. Prokhorov
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發(fā)表于 2025-3-29 22:40:54 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-30 02:35:11 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-30 07:35:20 | 只看該作者
A. V. Glushkov,V. V. Buyadzhi,A. S. Kvasikova,A. V. Ignatenko,A. A. Kuznetsova,G. P. Prepelitsa,V. B
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