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Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 20121st edition Vieweg+Teubner Verlag | Springe

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 16:36:02 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
副標(biāo)題Simulation mit PSPIC
編輯Peter Baumann
視頻videohttp://file.papertrans.cn/742/741144/741144.mp4
概述Statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen.Erg?nzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler.Simulationswerkzeug für den Elektr
圖書封面Titlebook: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen; Simulation mit PSPIC Peter Baumann Textbook 20121st edition Vieweg+Teubner Verlag | Springe
描述.Erg?nzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgew?hlter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazit?tsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverst?rker und Optokoppler..
出版日期Textbook 20121st edition
關(guān)鍵詞Bipolartransistor; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sperrschic
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0
isbn_ebook978-3-8348-2495-0
copyrightVieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden 2012
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書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影響因子(影響力)




書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen網(wǎng)絡(luò)公開度




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 23:48:03 | 只看該作者
Bipolartransistoren,Das Gro?signalmodell des Bipolartransistors nach Bild 2.1 enth?lt als Komponenten:
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 00:41:46 | 只看該作者
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren,Das dynamische Gro?signalmodell des N-Kanal-Sperrschicht-FET (NJFET) umfasst:
地板
發(fā)表于 2025-3-22 06:16:38 | 只看該作者
MOS-Feldeffekttransistoren,?hnlich wie bei den Sperrschichtfeldeffekttransistoren unterscheidet man bei den MOSFET zwei Kennlinienbereiche.
5#
發(fā)表于 2025-3-22 11:51:31 | 只看該作者
6#
發(fā)表于 2025-3-22 13:11:49 | 只看該作者
,Operationsverst?rker,Der Operationsverst?rker ist ein mehrstufiger, gleichspannungsgekoppelter, integrierter Breitbandverst?rker mit dem nichtinvertierenden P-Eingang, dem invertierenden N-Eingang und dem Ausgang A, siehe Bild 6.1. Die Differenzspannung .. wird bei offenem Ausgang mit der Leerlaufspannungsverst?rkung .. verst?rkt.
7#
發(fā)表于 2025-3-22 20:29:57 | 只看該作者
Optokoppler,Das Bild 7.1 zeigt die Prinzipschaltung des zu untersuchenden Optokopplers vom Typ A4N 25 mit den Komponenten:
8#
發(fā)表于 2025-3-22 22:12:08 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 01:29:56 | 只看該作者
10#
發(fā)表于 2025-3-23 08:49:14 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0Bipolartransistor; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sperrschic
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