Titlebook: Konstruieren mit 3D-CAD-Systemen; Grundlagen, Arbeitst Gerhard Pahl Textbook 1990 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1990 CAD.Darstellungste

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-25 09:51:47

Darstellungstechnik,h die Eingabeprozeduren mit Hilfe von Kommandos und ihre erkennbare Ausführung und Best?tigung behandelt wurden, ist es nun notwendig, die für den Dialog ben?tigten . n?her zu betrachten. Bild 7.1 zeigt den Kommunikationsbereich einschlie?lich der Routinen, die die Visualisierung des generierten Obj

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-25 13:05:40

,Erzeugnisstruktur und Stücklistenerstellung, die bestehenden Verbindungen werden durch die . beschrieben [PAB 86]. Nach Abschlu? der Entwicklung und endgültiger Zuordnung der Teile zu bestimmten Baugruppen wird aus der Baustruktur die Erzeugnisstruktur gebildet. Die . gibt zu erkennen, welche Baugruppen und welche Teile zu einem Erzeugnis geh

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-25 19:09:50

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-25 23:57:17

Gerhard Pahl Die St?rungen werden im Wesentlichen durch schnelle Schalt- bzw. Kommutierungsvorg?nge im Leistungsteil des Umrichters verursacht. Zus?tzlich k?nnen Resonanzkreise aus parasit?ren Kapazit?ten und Induktivit?ten zu hochfrequenten Schwingungen angeregt werden.

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-26 03:26:34

Gerhard Pahllgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Str?me über 3 kA mit einem vergleichsweise geringen Steu

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-26 06:24:11

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-26 10:05:00

Gerhard Pahlandelt. Aufbauend auf der bipolaren Transistorstruktur wird der Thyristor und der GTO-Thyristor bzw. IGCT vorgestellt. Nach Einführung des MOSFET-Leistungstransistors folgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leis

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-26 16:41:19

只看該作者 · 發(fā)表于 2025-3-26 19:25:43

unipolaren MOSFET-Leistungstransistors folgt schlie?lich der IGBT, das heutige ?Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Str?me über 3

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