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Titlebook: Ionenimplantation; Heiner Ryssel,Ingolf Ruge Book 1978 B. G. Teubner, Stuttgart 1978 Aluminium.Dotierung.Energie.Halbleiter.Halbleiterbaue

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樓主
發(fā)表于 2025-3-21 18:52:32 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
書目名稱Ionenimplantation
編輯Heiner Ryssel,Ingolf Ruge
視頻videohttp://file.papertrans.cn/476/475204/475204.mp4
圖書封面Titlebook: Ionenimplantation;  Heiner Ryssel,Ingolf Ruge Book 1978 B. G. Teubner, Stuttgart 1978 Aluminium.Dotierung.Energie.Halbleiter.Halbleiterbaue
描述In den letzten Jahren erschienen bereits mehrere Bücher zum Thema Ionenimplanta- tion, die sich fast ausschlie?lich an auf dem Gebiet der Ionenimplantation t?tige Wissenschaftler wenden und deshalb der Theorie einen sehr breiten Raum einr?umen. Im Gegensatz hierzu wendet sich das vorliegende Werk weniger an den Implanta- tionsfachmann, sondern mehr an Forscher und Entwickler in Industrie, F or- schungslaboratorien und Hochschulen, die an der Ionenimplantation als neuem Hilfsmittel zur Ver?nderung von Materialeigenschaften interessiert sind und wissen wollen, ob die Ionenimplantation für ihr Problem anwendbar ist. Bei einer solchen Ausrichtung mu? deshalb nach unserer Meinung neben einem kurzen Abri? der theoretischen Grundlagen vor allem die Behandlung von Problemen bei der Anwendung der Implantation im Vordergrund der Darstellung stehen, wovon hier zum Beispiel genannt seien die elektrische Aktivierung implantierter Ionen, Diffusionseffekte sowie die Diskussion der haupts?chlich verwendeten Me?- methoden zur Untersuchung implantierter Schichten, die apparativen Anforderungen an Beschleunigungssysteme und natürlich zahlreiche Beispiele zur Anwendung der Ionenimplantation. Die Schwe
出版日期Book 1978
關(guān)鍵詞Aluminium; Dotierung; Energie; Halbleiter; Halbleiterbauelement; Industrie; Reaktor; Systeme; Verfahren; Werk
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-663-05668-3
isbn_softcover978-3-519-03206-9
isbn_ebook978-3-663-05668-3
copyrightB. G. Teubner, Stuttgart 1978
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書目名稱Ionenimplantation影響因子(影響力)




書目名稱Ionenimplantation影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Ionenimplantation網(wǎng)絡(luò)公開度




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沙發(fā)
發(fā)表于 2025-3-21 20:36:37 | 只看該作者
板凳
發(fā)表于 2025-3-22 01:12:57 | 只看該作者
,Probleme bei der Implantation in reale Festk?rper,unkt bei Halbleitern liegt und deshalb nur die Implantation in Kristalle betrachtet wird. Die Implantation in amorphe oder polykristalline Festk?rper wird nur dann gestreift, wenn bemerkenswerte Unterschiede auftreten.
地板
發(fā)表于 2025-3-22 06:02:05 | 只看該作者
5#
發(fā)表于 2025-3-22 12:32:44 | 只看該作者
,Me?methoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten,nschaften fast immer eine Anzahl unerwünschter Effekte auftreten, ist eine sorgf?ltige me?technische Untersuchung der implantierten Schichten notwendig. Im Fall der Dotierung von Halbleitern betrifft dies vor allem den Einflu? von Strahlensch?den und die elektrische Aktivierung der implantierten Ion
6#
發(fā)表于 2025-3-22 15:41:42 | 只看該作者
7#
發(fā)表于 2025-3-22 19:40:01 | 只看該作者
8#
發(fā)表于 2025-3-22 23:52:55 | 只看該作者
9#
發(fā)表于 2025-3-23 05:22:53 | 只看該作者
10#
發(fā)表于 2025-3-23 09:27:42 | 只看該作者
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