Titlebook: Ion Implantation Techniques; Lectures given at th Heiner Ryssel,Hans Glawischnig Conference proceedings 1982 Springer-Verlag Berlin Heidelb

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Obituary

Liberate

M. I. Current,D. S. Perloff,L. S. Gutaiangs recht ungewi?, ob und in welchem Umfang mit Expertenauskünften zu rechnen sei. Aus prophylaktischen bzw. kompensatorischen Gründen hielten wir es deshalb für geraten, auf diesem Feld eigene Erhebungen durchzuführen. Sie konnten angesichts der knappen Personal- und Zeitressourcen nur als Kurzrec

BLAZE

P. Eichinger,H. Rysseles mit diesem Bedeutungsgehalt eingedeutschten Begriffs ’Kontrolle’ erh?hen sich durch das übersetzungsproblem, denn: Der sprachliche- und damit weitgehend auch der konzeptionelle - Transfer von ’Control’ in ’Kontrolle’ ist dadurch erheblich erschwert, da? sich der Bedeutungsgehalt der Termini in de

Fsh238

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Ion Implantation System Concepts the presently available commercial equipment is presented. The system-limiting aspects, such as throughput, uniformity, wafer heating, energy range, wafer size, charge-up, and contamination, are reported in detail. Finally, some remarks on the operation and control of an ion implanter are made.

間諜活動(dòng)

Faraday Cup Designs for Ion Implantation bulk material diffusions, its extendability to large target dimensions, and its ability to be mask-defined with small lateral spreading and controlled depths [1–3], In its practical execution, ion implantation employs the electromagnetic properties of the ions to regulate the energy, species, total

犬儒主義者

Safety and Ion Implantersradiation, toxic chemicals, high voltages and mechanical forces capable of causing serious harm all exist. Manufacturers build equipment with interlock systems which are capable of protecting the operator from harm. Maintenance procedures are also safe, provided that proper procedures are followed,