Titlebook: High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology; Sa?a Radovanovi?,Anne-Johan Annema,Bram Nauta Book 2006 Springer-Verlag US 2006 Absorp

fumble

書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology影響因子(影響力)




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology網(wǎng)絡(luò)公開度




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology被引頻次




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology被引頻次學(xué)科排名




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology年度引用




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology年度引用學(xué)科排名




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology讀者反饋




書目名稱High-Speed Photodiodes in Standard CMOS Technology讀者反饋學(xué)科排名

Rotator-Cuff

eses Kapitels soll nun die Entwicklung der Immigration in der Bundesrepublik seit Beginn des Gastarbeitersystems im Jahr 1961 beschrieben werden. Diese Darstellung wird zeigen, da? die Bundesrepublik Deutschland seit ihrem Bestehen eine enorme Zuwanderung verzeichnen konnte und als eines der wichtig

Intact

狼群

t?t der L?hne, der Zusammensetzung des Zuwandererstromes hinsichtlich der Qualit?t der Migranten und den produktionstechnischen Zusammenh?ngen zwischen den einzelnen Produktionsfaktoren abh?ngen. In diesem Kapitel wird nun auf Basis der im letzten Abschnitt abgeleiteten theoretischen Modelle das qua

闖入

t?t der L?hne, der Zusammensetzung des Zuwandererstromes hinsichtlich der Qualit?t der Migranten und den produktionstechnischen Zusammenh?ngen zwischen den einzelnen Produktionsfaktoren abh?ngen. In diesem Kapitel wird nun auf Basis der im letzten Abschnitt abgeleiteten theoretischen Modelle das qua

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浪費(fèi)物質(zhì)

,Bulk CMOS photodiodes for λ = 400 nm,d frequency domain analyses of monosilicon photodiodes in a standard 0.18 μm CMOS technology, for λ = . nm..For monosilicon diodes, the maximum calculated intrinsic ?3 dB bandwidth is up to 6 GHz at λ = 400 nm; this corresponds to a cut-off frequency of about 4 GHz. The photodiodes designed in twin-

雜色

Polysilicon photodiode, to a very small parasitic capacitance (<0.1 pF). For λ = . nm, the achieved quantum efficiency is however only 2.5% due to the very small light sensitive diode volume. The diode active area is limited by a narrow depletion region while the small depth is limited by the technology.

mediocrity

CMOS photodiodes: generalized,f CMOS technology, for all wavelengths for which most of the light is absorbed at depths smaller than that of the most shallow junction, shorter wavelengths result in a lower bandwidth. This bandwidth is however still in the hundreds of MHz range..For wavelengths for which the 1/e-absorption depth i

紳士

Polysilicon photodiode, to a very small parasitic capacitance (<0.1 pF). For λ = . nm, the achieved quantum efficiency is however only 2.5% due to the very small light sensitive diode volume. The diode active area is limited by a narrow depletion region while the small depth is limited by the technology.