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Titlebook: Halbleiter-Leistungsbauelemente; Physik, Eigenschafte Josef Lutz Book 20122nd edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2012 Bipolare Trans

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樓主: HEMI
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發(fā)表于 2025-3-23 11:48:57 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 16:30:36 | 只看該作者
Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen,Der Einsatz eines Leistungsbauelements führt zu Verlusten. In einem vereinfachten Anwendungsbeispiel soll die Gr??enordnung abgesch?tzt werden:.IGBT Modul BSM50GB120DLC (Infineon), auf luftgekühltem Kühlk?rper.Betriebsbedingung: I.?=?50?A, U..=?600?V, R.?=?15W, T.?=?125?°C,.f?=?5?kHz, duty cycle d?=?0,5
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發(fā)表于 2025-3-23 20:26:51 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 00:02:38 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 03:14:07 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 07:57:38 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 11:28:44 | 只看該作者
nd der Technik.Includes supplementary material: .Includes su.Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsf?higkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst m?glich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorg?nge im Halbleiter, s
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發(fā)表于 2025-3-24 15:57:33 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-0-230-10822-6dnungen niedriger (n., p.), weswegen sich dennoch die Bezeichnung ?i“ eingebürgert hat. Heute werden nur Mittelgebiete vom n. Typ realisiert, was haupts?chlich auf das Ausschaltverhalten der damit realisierten Dioden zurückzuführen ist. Das sog. ?i“-Gebiet ist in Wirklichkeit meist ein n. – Gebiet.
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發(fā)表于 2025-3-24 20:54:12 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-1-137-12029-8ewarnt, nur anhand von Detailbildern Schlüsse zu ziehen. Allerdings steht in der praktischen Anwendung der Ingenieur sehr oft vor dem Problem der Fehlersuche, und dafür k?nnen die folgenden Ausführungen hilfreich sein.
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發(fā)表于 2025-3-25 01:49:56 | 只看該作者
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