Titlebook: Halbleiter-Bauelemente; Michael Reisch Textbook 2007Latest edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007 Bauelement.Bipolartransistor.Ele

損壞

Thyristoren,ahngebiete werden üblicherweise mit p. (Anode), n. (Basis), p. (Gate) und n. (Kathode) bezeichnet, die pn-überg?nge mit J., J. und J.. Das Schaltzeichen des Thyristors ?hnelt dem der Diode (vgl. Abb. 7.1), im Unterschied dazu ist zus?tzlich zu Anode (A) und Kathode (K) jedoch ein dritter Anschlu? vorhanden, das sog. Gate (G).

visual-cortex

Michael ReischKompaktes Lehrbuch für Vorlesung und Selbststudium.Didaktisch ausgefeiltes Konzept mit durchgehender Beschreibungssprache PSpice.Praktische Lern- und Arbeitshilfen im Web.Includes supplementary materi

領(lǐng)帶

BADGE

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Herpetologist

Multiple

Bipolartransistoren,Der Bipolartransistor (BJT). wurde 1947 in den Bell Laboratorien erfunden. Diese Erfindung leitete eine Revolution in der Elektronik ein und hat mit der etwa ein Jahrzehnt sp?ter entwickelten Planartechnologie das Tor zu dem sich rasch weiterentwickelnden Gebiet der integrierten Schaltungen. aufgesto?en.

Flat-Feet

Feldeffekttransistoren,Feldeffekttransistoren (FETs) sind aktive Bauelemente, bei denen der Stromflu? durch einen leitenden Kanal mit Hilfe einer Steuerelektrode moduliert werden kann. Der prinzipielle Aufbau eines FET ist in Abb. 5.1 dargestellt: Der zwischen den Anschlüssen . (.) und .. (.) flie?ende Strom wird durch das sog. . (.) gesteuert.

鞭打

0937-7433 ngsaufgaben unterstützt. Für die zweite Auflage stehen im Internet Musterl?sungen und Datenbl?tter ausgew?hlter Bauelemente zum Download bereit. .978-3-540-73199-3978-3-540-73200-6Series ISSN 0937-7433 Series E-ISSN 2512-5214