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Titlebook: Gallium Oxide; Materials Properties Masataka Higashiwaki,Shizuo Fujita Book 2020 Springer Nature Switzerland AG 2020 Ga2O3.transparent cond

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樓主: 切口
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發(fā)表于 2025-3-30 09:14:17 | 只看該作者
Mist Chemical Vapor Deposition 1nd is featured by its large bandgap (~5.3?eV), bandgap engineering (3.7 to?~9?eV), and existing corundum-structured .-type oxide such as α-Ir.O., as well as low epitaxy cost on inexpensive sapphire substrates.
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發(fā)表于 2025-3-30 14:11:13 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-30 20:08:01 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-30 23:16:02 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-31 01:58:06 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-31 05:08:24 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-31 10:18:54 | 只看該作者
Czochralski Methodtructural quality with further scale-up capabilities. Czochralski-grown bulk β-Ga.O. single crystals can be easily doped with a diversity of elements to tune their electrical and optical properties. The bulk β-Ga.O. single crystals can be obtained either as electrical insulators or semiconductors bo
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發(fā)表于 2025-3-31 15:43:05 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-31 19:46:49 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-4-1 01:28:41 | 只看該作者
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