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Titlebook: Epitaxie von Metallaufdampfschichten; Zusammenhang zwische Ludwig Reimer Book 1967 Springer Fachmedien Wiesbaden 1967 Eisen.Epitaxie.Fassun

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樓主: foresight
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發(fā)表于 2025-3-23 11:59:20 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 17:26:24 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 18:21:30 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 02:17:00 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 06:09:03 | 只看該作者
Elena Adler,Patricia A. Gibbonsend des Aufdampfprozesses anwenden, um Epitaxie zu erreichen. In vielen F?llen spielen auch Adsorptionsschichten auf den kristallinen Unterlagen eine Rolle. Zum Beispiel wurde in der vorliegenden Arbeit die Epitaxie von Eisenschichten auf Steinsalz-Spaltfl?chen durch den H.O-Partialdruck begünstigt.
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發(fā)表于 2025-3-24 10:22:59 | 只看該作者
Anesthetics and Ventilatory Drive,inander orientierten Richtungen auf. Die optimale Temperatur der Unterlage für die Epitaxie betrug 70° C. Auf Grund der Tendenz der Wismutschichten mit der (111)-Ebene parallel zur Unterlage zu kristallisieren (Schichtgitteraufbau), laufen oberhalb dieser Temperatur Rekristallisationsprozesse ab, welche die (100)-Orientierung zerst?ren.
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發(fā)表于 2025-3-24 13:14:34 | 只看該作者
Book 1967ichten, welche die Kristallorientierung der Unterlage fortsetzen. Bei der Aufdampf- methode mu? man in der Regel erh?hte Temperaturen der Unterlage w?hrend des Aufdampfprozesses anwenden, um Epitaxie zu erreichen. In vielen F?llen spielen auch Adsorptionsschichten auf den kristallinen Unterlagen ein
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發(fā)表于 2025-3-24 15:54:43 | 只看該作者
Book 1967der Kunststoff-Folien) er- h?lt. In der vorliegenden Arbeit sind die Bedingungen untersucht, unter denen ein- kristalline Wismut- und Eisen-Aufdampfschichten zu erhalten sind. Wismut zeigt wegen seiner Grenzstellung zwischen Metallen und Halbleitern einen relativ gro?en Hall-Effekt, der au?erdem seh
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發(fā)表于 2025-3-24 19:13:05 | 只看該作者
ge (Glas oder Kunststoff-Folien) er- h?lt. In der vorliegenden Arbeit sind die Bedingungen untersucht, unter denen ein- kristalline Wismut- und Eisen-Aufdampfschichten zu erhalten sind. Wismut zeigt wegen seiner Grenzstellung zwischen Metallen und Halbleitern einen relativ gro?en Hall-Effekt, der au?erdem seh978-3-663-06289-9978-3-663-07202-7
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發(fā)表于 2025-3-25 02:36:55 | 只看該作者
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