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Titlebook: Emerging Memory Technologies; Design, Architecture Yuan Xie Book 2014 Springer Science+Business Media New York 2014 Emerging Memory.Memory

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發(fā)表于 2025-3-26 22:09:31 | 只看該作者
NVSim: A Circuit-Level Performance, Energy, and Area Model for Emerging Non-volatile Memory,fer memory?(STT-RAM, or MRAM), phase change memory?(PCRAM), and resistive memory?(ReRAM) are regarded as the most promising candidates. As the ultimate goal of this NVM research is to deploy them into multiple levels in the memory hierarchy, it is necessary to explore the wide NVM design space and f
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發(fā)表于 2025-3-27 01:13:36 | 只看該作者
A Hybrid Solid-State Storage Architecture for the Performance, Energy Consumption, and Lifetime Impy, and falling cost. On the other hand, the performance of NAND flash memory is limited by its “erase-before-write” requirement. Log-based structures have been used to alleviate this problem by writing updated data to the clean space. Log-based methods, however, cannot completely overcome the inhere
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發(fā)表于 2025-3-27 07:18:10 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-27 11:16:00 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-27 16:25:55 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-27 18:08:17 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 00:30:48 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 04:37:37 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 07:26:51 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 14:01:19 | 只看該作者
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