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Titlebook: Elektronische Halbleiter; Eine Einführung in d Eberhard Spenke Textbook 19551st edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1955 Entwicklung.

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樓主: 領(lǐng)口
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發(fā)表于 2025-3-23 11:32:29 | 只看該作者
Entwicklungsstand der Beschaffungskontrolle,n .. Eine charakteristische Eigenschaft des Widerstandes vieler Halbleiter ist aber jedenfalls die au?erordentlich starke Empfindlichkeit des elektrischen Widerstandes gegenüber einer Reihe von Faktoren, von denen wir an erster Stelle die ?chemische Zusammensetzung“ der untersuchten Proben nennen wollen.
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發(fā)表于 2025-3-23 15:13:58 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-658-01467-4erfahrens von . und von . einerseits und des B?ndermodells andrerseits besteht in der Art des gew?hlten Einelektronenproblems und in der Art, wie die verschiedenen L?sungen dieses Einelektronenproblems kombiniert werden.
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發(fā)表于 2025-3-23 18:46:07 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 01:58:45 | 只看該作者
Das B?ndermodellerfahrens von . und von . einerseits und des B?ndermodells andrerseits besteht in der Art des gew?hlten Einelektronenproblems und in der Art, wie die verschiedenen L?sungen dieses Einelektronenproblems kombiniert werden.
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發(fā)表于 2025-3-24 04:00:01 | 只看該作者
Der Leitungsmechanismus in elektronischen Halbleiternals die Isolatoren. Hiernach liegt die Leitf?higkeit eines Halbleiters bei Zimmertemperatur zwischen 10... cm. und 10... cm.. Diese Grenzen sind einigerma?en willkürlich und tats?chlich wird sich auch zeigen, da? zwischen Isolatoren und Halbleitern gar kein prinzipieller Unterschied besteht. Ob sich
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發(fā)表于 2025-3-24 08:45:25 | 只看該作者
St?rstellen, St?rstellenmodelle und St?rstellenreaktionenorden. Der Begriff der atomaren Fehlordnung — der auf einen Gitterbaustein und seine n?chste Umgebung beschr?nkten St?rstelle — ist dagegen typisch für die Halbleiterphysik und seine Konzeption kann gewisserma?en als Beginn der modernen Halbleiterphysik überhaupt betrachtet werden. Es dürfte zweckm?
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發(fā)表于 2025-3-24 11:00:49 | 只看該作者
Das Defektelektron denn sie gibt Aufschlu? über Beweglichkeit und Vorzeichen der am Stromtransport beteiligten Ladungstr?ger. Der Versuch besteht darin, da? ein Quader des zu untersuchenden Materials in der .-Richtung von einer Stromdichte i durchflossen wird, w?hrend in der .-Richtung ein Magnetfeld ? aufrechterhalt
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發(fā)表于 2025-3-24 15:00:48 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 20:39:48 | 只看該作者
Die physikalische Wirkungsweise von Kristallverst?rkern (Transistoren)ungsweise an die in dieser Beziehung ?lteste und wohl auch einfachste Vorrichtung anzuknüpfen, n?mlich an das elektromagnetische Telegraphenrelais (siehe Abb. V 1.1). Bei diesem bet?tigt ein von fern her über lange Leitungen kommender und daher schwacher Strom einen Schalter, der dem Strom einer sta
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發(fā)表于 2025-3-25 00:31:17 | 只看該作者
N?herungsmethoden in der Quantenmechanik des Wasserstoffmolekülsn den bei diesem Zwei-Elektronenproblem angewendeten N?herungsmethoden diejenigen charakteristischen Züge kennenzulernen, die wir auch bei dem Vielelektronenproblem des Festk?rpers wieder antreffen werden .. In einem solchen N?herungsverf ahren . wird für die .-Funktion Ψ (r., r.) des Gesamtmoleküls
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