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Titlebook: Einführung in die Physik des Transistors; Wolfgang W. G?rtner Book 1963 Springer-Verlag OHG., Berlin/G?ttingen/Heidelberg 1963 Datenverarb

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樓主: MEDAL
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發(fā)表于 2025-3-23 10:14:36 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 14:30:49 | 只看該作者
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?diet homogen sein, sondern kann v?llig willkürlich über das Volumen des Kristalls variieren. Besonders wichtig sind ?nderungen, bei denen der Leitungstyp des Kristalls von N- in P-Leitung oder umgekehrt übergeht.
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發(fā)表于 2025-3-23 19:32:31 | 只看該作者
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?diegang zu einem in Sperrichtung vorgespannten übergang, wo sie ?gesammelt“ werden. Man nennt den ersten übergang ?Emitterdiode“, den zweiten übergang ?Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flu?richtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch
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發(fā)表于 2025-3-23 22:31:38 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-642-91087-6 die Kapazit?t des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann st??t man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten mu? die Basiszone sehr dünn gemacht w
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發(fā)表于 2025-3-24 06:17:38 | 只看該作者
Die endovesicale Thermokoagulation,wischen dem Aufbau und dem elektrischen Verhalten des Systems bestehen. Auf der Grundlage dieser Theorie ist es m?glich, Transistoren mit spezifischen Eigenschaften zu entwickeln und die endgültigen Daten für gegebene Strukturen vorauszuberechnen. Diese Theorie stellt die Ausgangsbasis für den mit d
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發(fā)表于 2025-3-24 07:46:23 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 10:44:05 | 只看該作者
Grundlegende Begriffe der Halbleiterphysikteilen; der Widerstand der Halbleiter liegt zwischen 10. und 10. Ωcm. Diese Klassifizierung ist ziemlich willkürlich, doch ist der Widerstand bei Zimmertemperatur das einzige gemeinsame Merkmal, durch welches alle Halbleiter gekennzeichnet werden k?nnen. Sonst gibt es keine grundlegenden Unterschied
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發(fā)表于 2025-3-24 15:53:40 | 只看該作者
Halbleitereigenschaften eingehen. Ihre experimentelle und theoretische Untersuchung ist Gegenstand der Festk?rperphysik (siehe [.]). Hier k?nnen jedoch nur solche Gesichtspunkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenh?ngen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessant
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發(fā)表于 2025-3-24 22:51:41 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 23:33:36 | 只看該作者
Der Fl?chentransistor [, bis ,]gang zu einem in Sperrichtung vorgespannten übergang, wo sie ?gesammelt“ werden. Man nennt den ersten übergang ?Emitterdiode“, den zweiten übergang ?Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flu?richtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch
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