Titlebook: Einflu? von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden; Bernd H?fflinger,Günter Zimmer,Heinz Ger

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meretricious

讓步

Digitalisierung der Finanzindustrien erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfl?che entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und erm?glicht kurze Schaltzeiten.

Abbreviate

Beschreibung der Teststrukturen,n erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfl?che entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und erm?glicht kurze Schaltzeiten.

大廳

火車車輪

火車車輪

https://doi.org/10.1007/978-3-662-65858-1 ultraviolettes Licht. Durch das Fotodiodenlayout mit Guard—Ring, Feldimplantation bei n-Kanal- und CMOS-Proze? und einer den Guard-Ring überlappenden Metallisierung konnten geringe Sperrstr?me und Sperrspannungen bis zu 130 V erreicht werden.

febrile

evince

Lea Henkel,Annika Krug,Boris ZimmermannDer Einflu? des die lichtempfindliche Fl?che der Fotodiode, also den Bereich des flachen pn-übergangs, abdeckenden Oxids ist begründet durch dessen Wirkung als Antireflexionsschicht und durch die durch Vermeidung der durch hohe Oberfl?chenrekombinationsraten unempfindlichen Oberfl?chenschicht mittels Passivierung der Oberfl?chenzust?nde.

兩棲動物