找回密碼
 To register

QQ登錄

只需一步,快速開始

掃一掃,訪問微社區(qū)

打印 上一主題 下一主題

Titlebook: Compact Transistor Modelling for Circuit Design; Henk C. Graaff,Fran?ois M. Klaassen Book 1990 Springer-Verlag/Wien 1990 SPICE.circuit.cir

[復(fù)制鏈接]
樓主: FERN
41#
發(fā)表于 2025-3-28 16:15:44 | 只看該作者
42#
發(fā)表于 2025-3-28 20:26:17 | 只看該作者
Compact Models for Vertical Bipolar Transistors,ions which together define a given model. This description will be limited to vertical . transistors for integrated circuits, including the substrate effects of the parasitic . transistor. Vertical . transistors also exist, but they require no new fundamental additions.
43#
發(fā)表于 2025-3-29 00:41:25 | 只看該作者
44#
發(fā)表于 2025-3-29 05:50:20 | 只看該作者
45#
發(fā)表于 2025-3-29 08:11:39 | 只看該作者
46#
發(fā)表于 2025-3-29 13:53:42 | 只看該作者
Models for the JFET and the MESFET, field-effect transistor (MESFET) are considerable, their physical operation is almost identical. The modelling of these devices is therefore discussed in one chapter. In both cases transistor operation is achieved by depleting an already existing channel region via a gate-controlled . junction or a
47#
發(fā)表于 2025-3-29 18:26:53 | 只看該作者
 關(guān)于派博傳思  派博傳思旗下網(wǎng)站  友情鏈接
派博傳思介紹 公司地理位置 論文服務(wù)流程 影響因子官網(wǎng) 吾愛論文網(wǎng) 大講堂 北京大學(xué) Oxford Uni. Harvard Uni.
發(fā)展歷史沿革 期刊點(diǎn)評 投稿經(jīng)驗(yàn)總結(jié) SCIENCEGARD IMPACTFACTOR 派博系數(shù) 清華大學(xué) Yale Uni. Stanford Uni.
QQ|Archiver|手機(jī)版|小黑屋| 派博傳思國際 ( 京公網(wǎng)安備110108008328) GMT+8, 2025-10-5 01:42
Copyright © 2001-2015 派博傳思   京公網(wǎng)安備110108008328 版權(quán)所有 All rights reserved
快速回復(fù) 返回頂部 返回列表
洱源县| 涟源市| 英吉沙县| 营山县| 永定县| 开鲁县| 多伦县| 岚皋县| 铜陵市| 余庆县| 鸡西市| 聂拉木县| 电白县| 永平县| 延庆县| 红河县| 青冈县| 马公市| 崇左市| 马边| 庄河市| 凤凰县| 长泰县| 苍梧县| 腾冲县| 孟连| 法库县| 盱眙县| 津市市| 新化县| 厦门市| 寿光市| 乐陵市| 南雄市| 太康县| 沈丘县| 铜鼓县| 滁州市| 辽阳市| 南丰县| 图木舒克市|