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Titlebook: Bauelemente der Halbleiterelektronik; Teil 1 Grundlagen, D Herbert Tholl Book 1976 Springer Fachmedien Wiesbaden 1976 Bauelement.Diode.Elek

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樓主: 戲弄
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發(fā)表于 2025-3-23 10:37:48 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 14:22:37 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 19:23:23 | 只看該作者
,Physikalische Grundlagen der Stromleitung in Festk?rpern,Leitf?higkeit als die Metalle, verglichen mit Isolatoren stellen sie jedoch relativ gute Leiter dar. Diese Stoffe, deren wichtigste Vertreter Silizium (Si) und Germanium (Ge) sind, werden deshalb als Halbleiter bezeichnet.
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發(fā)表于 2025-3-23 23:57:25 | 只看該作者
Book 1976or allem die Fortschritte der Festk?rper- und Halbleiterphysik, die diese Entwicklung vorantrieben. W?hrend in den fünfziger Jahren die Schaltungstechnik in zunehmendem Ma?e den übergang von R?hren- zu Transistorschaltungen vollzog, wurde in den sechziger Jahren als weiterer Fortschritt der Einsatz
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發(fā)表于 2025-3-24 05:19:55 | 只看該作者
The Criminalization of Homelessnesserte positive Raumladung auf. Im P-Gebiet verbleiben unkompensierte negative Akzeptoren und zus?tzlich eingedrungene Elektronen, so da? dort eine negative unkompensierte Raumladung entsteht (Bild ..1 c). Diese Raumladung baut ein elektrisches Feld auf, das einen zum Diffusionsstrom der Majorit?tstr?
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發(fā)表于 2025-3-24 07:51:43 | 只看該作者
Halbleiterdioden,erte positive Raumladung auf. Im P-Gebiet verbleiben unkompensierte negative Akzeptoren und zus?tzlich eingedrungene Elektronen, so da? dort eine negative unkompensierte Raumladung entsteht (Bild ..1 c). Diese Raumladung baut ein elektrisches Feld auf, das einen zum Diffusionsstrom der Majorit?tstr?
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發(fā)表于 2025-3-24 11:33:42 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 18:01:35 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 21:51:54 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-25 01:32:45 | 只看該作者
Halbleiterdioden,ensatz zu den ortsfesten Donatoren und Akzeptoren die Elektronen des N-Bereichs und die L?cher des P-Bereichs (Majorit?tstr?ger) in das Gebiet entgegengesetzter Dotierung, in dem sie dann Minorit?tstr?ger sind. Ursache für diese Diffusion ist die thermische Energie der Tr?ger und das Konzentrationsg
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