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Titlebook: Aktive elektronische Bauelemente; Aufbau, Struktur, Wi Leonhard Stiny Book 20163rd edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2016 Elektrotechni

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樓主: Menthol
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發(fā)表于 2025-3-23 10:02:56 | 只看該作者
Das Trockengleichrichter-Vielfachme?ger?tteil. Wie bereits in der Einleitung erw?hnt, wurden die bisher ausführlich besprochenen Dioden in dieses Werk über aktive elektronische Bauelemente aufgenommen, weil sie auf der Halbleitertechnik beruhen, zu deren Verst?ndnis ein umfangreiches Grundwissen erforderlich ist, welches auch bei den aktiv
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發(fā)表于 2025-3-23 15:56:41 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-662-26481-2in veraltetes R?hrenbauelement zum Schalten elektrischer Str?me..Im Bereich gro?er Leistungen sind Thyristoren wichtige Bauelemente der Leistungselektronik. Der Thyristor ist eines der ?ltesten leistungselektronischen Halbleiterbauelemente, wurde bereits 1952 von W.?Shockley erfunden, und ist auch h
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發(fā)表于 2025-3-23 19:24:56 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-662-26481-2rker, die durch ihre externe Beschaltung zur Realisierung analoger oder logischer Funktionen leicht konfigurierbar sind. Der h?ufigste Universalverst?rker ist der Operationsverst?rker (Abkürzungen: OP, OV, OpAmp von Operational Amplifier, OPV). Der Name Operationsverst?rker stammt von einem der erst
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發(fā)表于 2025-3-24 01:17:35 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-662-41249-7leiterspeicher zeichnen sich durch hohe Arbeitsgeschwindigkeit und hohe Zuverl?ssigkeit sowie niedrigen Leistungsverbrauch bei relativ kleinen Kosten je Bit aus. Durch ihre Herstellung als integrierte Schaltkreise ergibt sich eine hohe Speicherdichte und damit ein kleines Volumen. Aus Speicher-ICs l
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發(fā)表于 2025-3-24 04:40:10 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 09:51:40 | 只看該作者
Leonhard StinyWiederholung elektrischer und elektronischer Grundlagen zu Beginn jedes Kapitels.Ausführliche Erl?uterung mathematischer Zusammenh?nge.Hinweise für Anwendungen in der Praxis.Includes supplementary mat
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發(fā)表于 2025-3-24 14:20:59 | 只看該作者
http://image.papertrans.cn/a/image/152025.jpg
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發(fā)表于 2025-3-24 17:14:00 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 20:39:52 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-3572-3rtransistor aus zwei pn-überg?ngen. Die an ihm auftretenden physikalischen Vorg?nge werden hier nur soweit erkl?rt, wie sie für das Verst?ndnis dieser Bauelemente erforderlich sind. Zun?chst wird der pn-übergang ohne ?u?ere Spannung (im thermodynamischen Gleichgewicht), dann mit ?u?erer Spannung bet
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發(fā)表于 2025-3-25 01:26:37 | 只看該作者
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