Titlebook: Advances in Solid State Physics 39; Bernhard Kramer Conference proceedings 1999 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1999 condensed matter.co

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Advances in Solid State Physicshttp://image.papertrans.cn/a/image/149819.jpg

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125 years of metal-semiconductor contacts: Where do we stand?,of intimate, abrupt, defect-free, and laterally homogeneous Si, GaAs, GaN, CdTe, and SiC Schottky contacts and, therefore, to be the fundamental mechanism that determines Schottky barrier heights. Other, but then secondary mechanisms are considered in addition.

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