標(biāo)題: Titlebook: Monte Carlo Device Simulation; Full Band and Beyond Karl Hess Book 1991 Springer Science+Business Media New York 1991 MOSFET.Monte Carlo Al [打印本頁] 作者: 文化修養(yǎng) 時(shí)間: 2025-3-21 19:54
書目名稱Monte Carlo Device Simulation影響因子(影響力)
書目名稱Monte Carlo Device Simulation影響因子(影響力)學(xué)科排名
書目名稱Monte Carlo Device Simulation網(wǎng)絡(luò)公開度
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書目名稱Monte Carlo Device Simulation被引頻次
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書目名稱Monte Carlo Device Simulation年度引用
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書目名稱Monte Carlo Device Simulation讀者反饋
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作者: onlooker 時(shí)間: 2025-3-21 20:46 作者: 簡略 時(shí)間: 2025-3-22 01:14 作者: 重力 時(shí)間: 2025-3-22 08:19 作者: Diastole 時(shí)間: 2025-3-22 12:30 作者: Cleave 時(shí)間: 2025-3-22 15:25
0893-3405 hysical mechanisms and exploring material properties. Not surprisingly, the more completely the material properties are built into the simulation, up to and including the use of a full band structure, the more powerful is the method. Indeed, it is now becoming increasingly clear that phenomena such 作者: 從屬 時(shí)間: 2025-3-22 18:36
0893-3405 al broadening and intracollisional field effects can be important and how they can be included in the simulations. References to more basic intro- the book. The978-1-4613-6800-7978-1-4615-4026-7Series ISSN 0893-3405 作者: HARP 時(shí)間: 2025-3-23 00:28 作者: MAG 時(shí)間: 2025-3-23 03:27
9樓作者: craving 時(shí)間: 2025-3-23 07:18
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