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作者: Hermit    時(shí)間: 2025-3-21 20:07
書(shū)目名稱(chēng)Grundlagen der Mikroelektronik 1影響因子(影響力)




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書(shū)目名稱(chēng)Grundlagen der Mikroelektronik 1網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度




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書(shū)目名稱(chēng)Grundlagen der Mikroelektronik 1被引頻次




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作者: Robust    時(shí)間: 2025-3-21 22:23
Kollegiale Begleitung in der Praxis,ndnis der Funktionsweise der sp?ter eingeführten Bauelemente ist es daher notwendig, sich zuerst die halbleiterphysikalischen Grundlagen anzueignen. Dabei spielen insbesondere Konzepte wie . und . . und . . . . und . eine wesentliche Rolle.
作者: 圓柱    時(shí)間: 2025-3-22 03:51
Problemstellung und Zielsetzung,Halbleiterschichten. Nach einer Vorstellung der . eines Bipolartransistors werden der . die m?glichen . und die . erl?utert. Durch die . des nichtlinearen Verhaltens in jedem Betriebsbereich wird die . von Schaltungen mit Bipolartransistoren erm?glicht. Das allgemeine Vorgehen bei der . wird pr?sentiert und in mehreren Beispielen angewendet.
作者: MORT    時(shí)間: 2025-3-22 05:48
https://doi.org/10.1007/978-3-663-05824-3en. Nach einer Vorstellung der . eines Feldeffekttransistors werden der . die m?glichen . und die . erl?utert. Durch die . des nichtlinearen Verhaltens in jedem Betriebsbereich wird die . von Schaltungen mit Feldeffekttransistoren erm?glicht. Das allgemeine Vorgehen bei der . wird pr?sentiert und in mehreren Beispielen angewendet.
作者: 圓柱    時(shí)間: 2025-3-22 11:15

作者: 憤怒歷史    時(shí)間: 2025-3-22 13:04

作者: 憤怒歷史    時(shí)間: 2025-3-22 19:09

作者: 漂浮    時(shí)間: 2025-3-22 23:00

作者: Eulogy    時(shí)間: 2025-3-23 04:26

作者: 我不死扛    時(shí)間: 2025-3-23 07:34

作者: Venules    時(shí)間: 2025-3-23 10:01
https://doi.org/10.1007/978-3-8349-9418-9iner .-Diode anzueignen, da diese bei den sp?ter eingeführten Bauelementen eine wesentliche Rolle spielen. Zudem werden wichtige Konzepte und Methoden, die sp?ter bei Transistoren und Transistorschaltungen Verwendung finden, anhand der .-Diode erl?utert.
作者: conservative    時(shí)間: 2025-3-23 17:23

作者: 公社    時(shí)間: 2025-3-23 19:14
,Einführung in die Elektronik,zw. .) in Verbindung mit dem . angewendet. Aus diesen Gesetzen leiten sich die wichtigen Gleichungen für . und . ab. Bei der Vereinfachung von Schaltungen hilft das Modell der . bzw. . Zur Beschreibung von sp?ter eingeführten Halbleiterbauelementen werden zudem die Begriffe der . oder . . und . ben?
作者: ARIA    時(shí)間: 2025-3-23 22:40

作者: CHYME    時(shí)間: 2025-3-24 05:33

作者: 使激動(dòng)    時(shí)間: 2025-3-24 07:45

作者: 圓木可阻礙    時(shí)間: 2025-3-24 11:47
Feldeffekttransistor,ommt. W?hrend beim .transistor Ladungstr?ger beider Polarit?ten zum Stromfluss beitragen, sind es beim Feldeffekttransistor je nach Bauform nur Elektronen oder L?cher. Feldeffekttransistoren werden daher auch als . Bauelemente bezeichnet. Dabei werden zwei Varianten unterschieden, . und .-Transistor
作者: 灰姑娘    時(shí)間: 2025-3-24 18:27
Kleinsignalmodellierung und Arbeitspunkteinstellung, Teil von komplexeren Schaltungen sind, zum Beispiel Operationsverst?rker und Analog-Digital-Wandler. Dabei wird auf das . und . von Bauelementen eingegangen. Als Gro?signalverhalten wird das . (zeitlich konstante Gr??en) und . (zeitver?nderliche Gr??en) Verhalten von Bauelementen im gesamten Betrie
作者: disciplined    時(shí)間: 2025-3-24 19:40

作者: Anthem    時(shí)間: 2025-3-25 02:49

作者: agglomerate    時(shí)間: 2025-3-25 06:11
,Einführung in die rechnergestützte Schaltungssimulation mit SPICE,, der sich insbesondere für Analogschaltungen eignet. Die bisher vorgestellten Bauelementmodelle sind für eine Handanalyse von Schaltungen gedacht und gehen daher von stark vereinfachenden Annahmen aus. Mithilfe von Simulationswerkzeugen ist es m?glich, eine genauere Vorhersage des realen Verhaltens
作者: 轉(zhuǎn)換    時(shí)間: 2025-3-25 10:25

作者: Certainty    時(shí)間: 2025-3-25 15:21
Kollegiale Begleitung in der Praxis,hlüssen zu modellieren. Ein solcher Ansatz erschwert es jedoch, den Betrieb von elektronischen Bauelementen und Schaltungen intuitiv zu erfassen, Abweichungen von dem vorhergesagten Verhalten zu verstehen oder das gewonnene Wissen auf weiterentwickelte Bauelemente anzuwenden. Für ein tieferes Verst?
作者: 獨(dú)輪車(chē)    時(shí)間: 2025-3-25 19:20

作者: 昏暗    時(shí)間: 2025-3-25 22:20
Problemstellung und Zielsetzung,rianten des Bipolartransistors unterschieden, der . und der .. Der .-Transistor besteht aus einer Folge dreier unterschiedlich dotierter Halbleiterschichten, einer .-, einer .- und einer weiteren .-dotierten Schicht. Analog besteht der .-Transistor aus einer der Bezeichnung entsprechenden Folge von
作者: 激怒某人    時(shí)間: 2025-3-26 01:38
https://doi.org/10.1007/978-3-663-05824-3ommt. W?hrend beim .transistor Ladungstr?ger beider Polarit?ten zum Stromfluss beitragen, sind es beim Feldeffekttransistor je nach Bauform nur Elektronen oder L?cher. Feldeffekttransistoren werden daher auch als . Bauelemente bezeichnet. Dabei werden zwei Varianten unterschieden, . und .-Transistor
作者: 分發(fā)    時(shí)間: 2025-3-26 08:02
Albert Bauer,Rolf Meier,Hans-Peter Sieper Teil von komplexeren Schaltungen sind, zum Beispiel Operationsverst?rker und Analog-Digital-Wandler. Dabei wird auf das . und . von Bauelementen eingegangen. Als Gro?signalverhalten wird das . (zeitlich konstante Gr??en) und . (zeitver?nderliche Gr??en) Verhalten von Bauelementen im gesamten Betrie
作者: 完成才會(huì)征服    時(shí)間: 2025-3-26 11:34
https://doi.org/10.1007/978-3-662-59256-4t. Die drei m?glichen Grundschaltungen mit Bipolartransistoren werden . . und . genannt. Entsprechend spricht man beim Feldeffekttransistor von der . . und . Für jede dieser Grundschaltungen und ihre Erweiterungen werden die . der . und der . berechnet und verglichen. Komplexe Verst?rkerschaltungen
作者: Anticonvulsants    時(shí)間: 2025-3-26 14:08
https://doi.org/10.1007/978-3-642-72530-2rn, wie zum Beispiel Addition oder Subtraktion, werden die im Folgenden behandelten Verst?rker auch . genannt, abgekürzt . oder . (Für den englischen Begriff . werden üblicherweise die Abkürzungen . . und gelegentlich . verwendet.). Operationsverst?rker erlauben die Realisierung einer Vielzahl von F
作者: 獨(dú)特性    時(shí)間: 2025-3-26 19:25
Normierte Organisationsentwicklungsverfahren, der sich insbesondere für Analogschaltungen eignet. Die bisher vorgestellten Bauelementmodelle sind für eine Handanalyse von Schaltungen gedacht und gehen daher von stark vereinfachenden Annahmen aus. Mithilfe von Simulationswerkzeugen ist es m?glich, eine genauere Vorhersage des realen Verhaltens
作者: Accord    時(shí)間: 2025-3-26 21:45

作者: Collar    時(shí)間: 2025-3-27 03:34

作者: impaction    時(shí)間: 2025-3-27 08:26
Albert Bauer,Rolf Meier,Hans-Peter Sieperbei ?kleinen“ . vom Arbeitspunkt als . bezeichnet und mithilfe von . Modellen statisch und dynamisch beschrieben. Für den Kleinsignalbetrieb ist es daher notwendig, vorher einen Arbeitspunkt für die jeweiligen Bauelemente festzulegen. Hierfür verwendete Schaltungen werden in diesem Abschnitt vorgest
作者: GROVE    時(shí)間: 2025-3-27 11:10

作者: Bucket    時(shí)間: 2025-3-27 15:44
Kleinsignalmodellierung und Arbeitspunkteinstellung,bei ?kleinen“ . vom Arbeitspunkt als . bezeichnet und mithilfe von . Modellen statisch und dynamisch beschrieben. Für den Kleinsignalbetrieb ist es daher notwendig, vorher einen Arbeitspunkt für die jeweiligen Bauelemente festzulegen. Hierfür verwendete Schaltungen werden in diesem Abschnitt vorgest
作者: Prosaic    時(shí)間: 2025-3-27 20:06

作者: PET-scan    時(shí)間: 2025-3-27 22:13
Barbarei als Sinnstiftung?,hen im Umgang mit ihrer NS-Vergangenheit fast eine Entwicklung von der Amnesie zur Hypermnesie durchlaufen haben. Daraus k?nnte man schlie?en, dass die das nationalsozialistische Regime umhüllende Amnesie der fünfziger Jahre für die Stabilisierung der noch jungen Demokratie in der neugegründeten Bun
作者: paleolithic    時(shí)間: 2025-3-28 04:29
cocycles. We make the following assumptions on the model: the translation vector satisfies a generic Diophantine condition, and the fiber action is given by a matrix valued analytic function of several variables which is not identically singular. The LDT estimates obtained here depend on some unifo
作者: 遣返回國(guó)    時(shí)間: 2025-3-28 07:48





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