作者: 準(zhǔn)則 時(shí)間: 2025-3-21 21:10 作者: Cardioversion 時(shí)間: 2025-3-22 02:50 作者: 金哥占卜者 時(shí)間: 2025-3-22 04:58
,Tern?re und quatern?re Halbleiter für Hochfrequenz-FET,en. Parasit?re Gr??en, die ihren Ursprung im Design und in nicht optimalen Herstellungs-bedingungen haben, verf?lschen die erzielbaren Ergebnisse. Letztlich sind es aber die Transporteigenschaften und die Bandstruktur des Halbleitermaterials, welche die bestimmenden Faktoren darstellen.作者: 高興一回 時(shí)間: 2025-3-22 09:06
Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs,inen kurzen überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1983) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III–V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolge作者: inscribe 時(shí)間: 2025-3-22 15:54
Grundlagen,ngstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch L?cher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.作者: inscribe 時(shí)間: 2025-3-22 19:25
GaAs-MESFET,zwischen Fl?chenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q(V) h?ngt, wie in Kap.3 erl?utert, vom Steuermechanismus der Gateelektrode ab. Wenn sich die Fl?chenladung im Kanal nicht abrupt ?ndert, l??t sich Q(V) angeben und das zweidimensionale Problem auf ein eindimensionales zurückführen.作者: 凝結(jié)劑 時(shí)間: 2025-3-22 22:46
,A Pressure-group under Pressure (1906–14),ihren Eigenschaften. Obwohl mittlerweile feststeht, da? der GaAs-MESFET durchaus die Zuverl?ssigkeit von Bauelementen auf Silizium erreicht (vgl. Abschn.6.3), sind einige der im folgenden erw?hnten Probleme noch nicht gel?st.作者: 迎合 時(shí)間: 2025-3-23 01:32 作者: 無(wú)關(guān)緊要 時(shí)間: 2025-3-23 09:23
,Dissension and Decline (1950–60),ngstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch L?cher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.作者: 是突襲 時(shí)間: 2025-3-23 09:56
,A Pressure-group under Pressure (1906–14),zwischen Fl?chenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q(V) h?ngt, wie in Kap.3 erl?utert, vom Steuermechanismus der Gateelektrode ab. Wenn sich die Fl?chenladung im Kanal nicht abrupt ?ndert, l??t sich Q(V) angeben und das zweidimensionale Problem auf ein eindimensionales zurückführen.作者: 壁畫(huà) 時(shí)間: 2025-3-23 17:27
https://doi.org/10.1007/978-3-662-07363-6Bauelemente; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Halbleiter-Elektronik; Rauschen; Schaltung; Tr作者: paradigm 時(shí)間: 2025-3-23 21:58 作者: 小丑 時(shí)間: 2025-3-24 01:10
A Short History of the Labour PartyIn diesem Kapitel werden die Kennlinien für n-Kanal-FET gem?? den Grundvorstellungen des Abschn.2.1 abgeleitet. Dieselben Formeln gelten für p-Kanal-FET, wenn man die entsprechenden Materialparameter (Beweglichkeit, Ladungstr?gerkonzentration, S?ttigungsgeschwindigkeit) einsetzt.作者: HAUNT 時(shí)間: 2025-3-24 03:25 作者: 沒(méi)有貧窮 時(shí)間: 2025-3-24 10:16 作者: BLAND 時(shí)間: 2025-3-24 10:45 作者: 殺蟲(chóng)劑 時(shí)間: 2025-3-24 15:19 作者: FLAX 時(shí)間: 2025-3-24 22:22 作者: dilute 時(shí)間: 2025-3-25 00:13
,Revival and Decline: 1923–1926,inen kurzen überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1983) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III–V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolgen) sind z.B. in Tagungsb?nden zu finden:作者: Wordlist 時(shí)間: 2025-3-25 05:54 作者: 上漲 時(shí)間: 2025-3-25 08:31 作者: Charade 時(shí)間: 2025-3-25 11:42
,Dissension and Decline (1950–60),n durch ein zum Stromflu? transversales elektrisches Feld, das von der Gateelektrode ausgeht, gesteuert wird. Da am Stromtransport nur bewegliche Ladungstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen neh作者: Inexorable 時(shí)間: 2025-3-25 19:37 作者: Lacunar-Stroke 時(shí)間: 2025-3-25 20:11 作者: PIZZA 時(shí)間: 2025-3-26 01:09 作者: 朋黨派系 時(shí)間: 2025-3-26 07:49
,Revival and Decline: 1923–1926,inen kurzen überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1983) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III–V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolge作者: 暗語(yǔ) 時(shí)間: 2025-3-26 10:47 作者: 綠州 時(shí)間: 2025-3-26 15:17
GaAs-Feldeffekttransistoren978-3-662-07363-6Series ISSN 0172-5882 作者: subacute 時(shí)間: 2025-3-26 20:50 作者: 大廳 時(shí)間: 2025-3-26 20:56
Reduction of Micro-Crack in Ni-Based Superalloy IN-713LC Produced by Laser Powder Bed Fusion,n this study, a systematic optimization method was constructed to find the optimal parameter region of IN713LC in LPBF additive manufacturing. The optimization method combines the perspectives of reducing the micro-cracks and the pores in melt-pool; therefore, the optimal region of the processing ma作者: 全部 時(shí)間: 2025-3-27 02:44 作者: NAG 時(shí)間: 2025-3-27 07:34 作者: 邊緣帶來(lái)墨水 時(shí)間: 2025-3-27 12:43 作者: Hippocampus 時(shí)間: 2025-3-27 14:33
Book 1983d by many to be caused purely by learning or environment have been shown to relate, at least in some cases, to brain dysfunction or damage. With the growth of the field, there has been increased interest in the work of neuropsychologists by many who are not in the field.作者: 表狀態(tài) 時(shí)間: 2025-3-27 20:12 作者: 大溝 時(shí)間: 2025-3-27 23:33
Recent Developments in Copper and Iron Based Dyes as Light Harvesters,nce spectral coverage and photo-physical properties to enhance the lifespan of excited states. Recently, theoretical studies of electronic and spectral properties of sensitising dye molecules using Density functional theory have served as an important guide to design sensitizers with improved effici作者: antiquated 時(shí)間: 2025-3-28 04:28
Frieder Middelhauvecture, geographical and zoological repartition, and regarding biological characteristics, such as pathogenicity to mice or oocyst production. The role of . genotype in the clinical presentation of human disease will be the next subject of extensive research.作者: 暫時(shí)中止 時(shí)間: 2025-3-28 07:32
Book 20202nd editionat a dedicated refactoring tool (ReSharper)can be used to implement design patterns with ease..What You Will Learn.Become familiar with the latest pattern implementations available in C# 8 and F# 5.Know how to better reason about software architecture.Understand the process of refactoring code to pa作者: DAMP 時(shí)間: 2025-3-28 12:02 作者: 過(guò)渡時(shí)期 時(shí)間: 2025-3-28 18:01
