標(biāo)題: Titlebook: Elemente der angewandten Elektronik; Kompendium für Ausbi Erwin B?hmer,Dietmar Ehrhardt,Wolfgang Oberschelp Textbook 201016th edition Viewe [打印本頁(yè)] 作者: FERN 時(shí)間: 2025-3-21 18:21
書(shū)目名稱Elemente der angewandten Elektronik影響因子(影響力)
書(shū)目名稱Elemente der angewandten Elektronik影響因子(影響力)學(xué)科排名
書(shū)目名稱Elemente der angewandten Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)度
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書(shū)目名稱Elemente der angewandten Elektronik被引頻次
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書(shū)目名稱Elemente der angewandten Elektronik年度引用
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書(shū)目名稱Elemente der angewandten Elektronik讀者反饋
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作者: Audiometry 時(shí)間: 2025-3-21 23:04 作者: endarterectomy 時(shí)間: 2025-3-22 00:50 作者: Mortar 時(shí)間: 2025-3-22 07:45 作者: Dysplasia 時(shí)間: 2025-3-22 11:20
,R?hren und Displays,als Plasma. über einen Vorwiderstand – oft im Lampensockel eingebaut – k?nnen solche Lampen an Gleichoder Wechselspannung betrieben werden. Beim Stromdurchgang erzeugen sie ein Glimmlicht, das schon bei Stromst?rken von 10 μ A sichtbar wird. . zeigt ein bekanntes Anwendungsbeispiel.作者: CAB 時(shí)間: 2025-3-22 13:52 作者: CAB 時(shí)間: 2025-3-22 19:44
,Digitale Verknüpfungs- und Speicherschaltungen,l (Ausgangsvariable) wird die Spannung u. betrachtet. Bei offenen Klemmen wird durch den Widerstand R im ersten Fall der Ausgang A auf Massepotential, im zweiten Fall auf ein positives Potential + U. gezogen.作者: 協(xié)迫 時(shí)間: 2025-3-22 23:53
Textbook 201016th editionage für Schaltungsentwicklungen. Zus?tzliches Material der früheren CD-ROM kann auf http://extras.springer.com/2010/978-3-8348-0543-0 heruntergeladen werden. Das Material beinhaltet Informationen zu den theoretischen Grundlagen und Verfahrensweisen der Halbleitertechnologie und gibt einen Einblick in das Gebiet der Mikrosystemtechnik..作者: Gum-Disease 時(shí)間: 2025-3-23 02:46 作者: 幼稚 時(shí)間: 2025-3-23 05:58
https://doi.org/10.1007/b136111. Die entstehende ?Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung U. über einem an freien Ladungstr?gern verarmten übergangsgebiet, der sog. Sperrschicht. Versehen mit beiderseitigen Metallkontakten entsteht eine Diode).作者: obscurity 時(shí)間: 2025-3-23 22:13
DA- und AD-Umsetzer,nnlinie des Umsetzers besteht jedoch nur aus einzelnen diskreten Punkten, die auf einer Geraden durch den Nullpunkt liegen. Der h?chste Punkt ist nach 2.-1 Stufen erreicht und liegt um eine Stufe unter dem mit . definierten Bereichsendwert U..作者: 描繪 時(shí)間: 2025-3-24 06:17 作者: 考得 時(shí)間: 2025-3-24 07:17
,Transformatoren und übertrager, Φ . aufteilt. Die in den Wicklungen induzierten Spannungen u. und u. ergeben sich aus der Selbstinduktion (Faktor L), überlagert mit einem Anteil der Fremdinduktion (Faktor M) aufgrund der zweiten Spule.作者: 芳香一點(diǎn) 時(shí)間: 2025-3-24 13:07
,Operationsverst?rker,. Die Letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstufen sind galvanisch gekoppelt, so dass auch Gleichspannungen verst?rkt werden k?nnen (Gleichspannungsverst?rker).作者: Aids209 時(shí)間: 2025-3-24 17:31 作者: pulse-pressure 時(shí)間: 2025-3-24 19:49 作者: Affirm 時(shí)間: 2025-3-25 01:31 作者: Pamphlet 時(shí)間: 2025-3-25 05:00
terial der früheren CD-ROM kann auf http://extras.springer.com/2010/978-3-8348-0543-0 heruntergeladen werden. Das Material beinhaltet Informationen zu den theoretischen Grundlagen und Verfahrensweisen der Halbleitertechnologie und gibt einen Einblick in das Gebiet der Mikrosystemtechnik..978-3-8348-9336-9作者: coagulation 時(shí)間: 2025-3-25 07:51 作者: 騷擾 時(shí)間: 2025-3-25 15:37 作者: angina-pectoris 時(shí)間: 2025-3-25 19:42
Textbook 201016th editionschlossen dargestellt und lassen sich für unterschiedliche Lehrveranstaltungen verwenden oder nur um Lücken zu schlie?en. Mit seinen zahlreichen Beispielen vermittelt das Buch zwischen Theorie und Praxis. Es ist ein zuverl?ssiger Begleiter für das Elektronikpraktikum und darüber hinaus Arbeitsgrundl作者: 兇殘 時(shí)間: 2025-3-25 22:17
,Einführung,erforderlich ist. Es h?lt sich dabei an die Vorgehensweise der Praxis mit einer Beschreibung der Betriebseigenschaften durch Kenndaten und Kennlinien, die der Hersteller üblicherweise im Datenblatt angibt作者: 正常 時(shí)間: 2025-3-26 00:35
,Elektrische Leitung und Widerst?nde,?hte in Luft, deren charakteristische Eigenschaften im Folgenden betrachtet werden. Die dabei gewonnenen Erkenntnisse lassen sich analog auch auf andere Leitungsformen in Luft und anderen Medien übertragen.作者: sphincter 時(shí)間: 2025-3-26 04:56
Halbleiterdioden,Ausgleichsbestreben). Durch den Zufluss von L?chern bzw. den Abfluss von Elektronen ergibt sich eine Potentialanhebung der n-Zone gegenüber der p-Zone. Die entstehende ?Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung U. übe作者: 形容詞 時(shí)間: 2025-3-26 10:49
Spulen und Schwingkreise,netisches Feld mit dem Energieinhalt W. Das Spuleninnere wird von dem Bündelfluss Φ durchdrungen. Bei einer offenen Zylinderspule nach . streuen die Feldlinien stark in den Raum aus. Mit der Annahme, dass sie alle N Windungen durchsetzen, definiert man den verketteten Fluss Ψ=N · Φ.作者: 圓錐體 時(shí)間: 2025-3-26 14:02 作者: Ossification 時(shí)間: 2025-3-26 19:09 作者: Myocyte 時(shí)間: 2025-3-27 00:24
,R?hren und Displays,wei telleroder stabf?rmigen Elektroden in einem edelgasgefüllten Gef??. Durch ein ausreichend starkes elektrisches Feld zwischen beiden Elektroden werden freie Elektronen so beschleunigt, dass sie durch Sto?ionisation eine ?Zündung“ des Gases bewirken. Das somit leitf?hige Gasgemisch bezeichnet man 作者: Organization 時(shí)間: 2025-3-27 02:26 作者: Sarcoma 時(shí)間: 2025-3-27 08:35
Bipolare Transistoren,Strom flie?t über einander abwechselnde n- und p-Zonen. . zeigt die Zonenfolge beim npn-Transistor, . beim dazu komplement?ren pnp-Transistor mit den Anschlüssen Emitter E, Basis B und Kollektor C. Die beiden pn-überg?nge kann man ersatzweise nach . als gegeneinander geschaltete Dioden darstellen mi作者: 大酒杯 時(shí)間: 2025-3-27 11:44 作者: Intrepid 時(shí)間: 2025-3-27 17:23 作者: Palliation 時(shí)間: 2025-3-27 21:20
Kippschaltungen,igger mit zwei emittergekoppelten Transistoren. Diese bilden eine Mitkopplungsschleife, in der Transistor T2 als Emitterfolger und Transistor T1 in Basisschaltung arbeitet. In erster N?herung k?nnen R. und R. als relativ hochohmige Widerst?nde parallel zu den jeweiligen Eing?ngen vernachl?ssigt werd作者: 迅速飛過(guò) 時(shí)間: 2025-3-27 22:16 作者: Dealing 時(shí)間: 2025-3-28 03:37
DA- und AD-Umsetzer,verdeutlicht mit .. Die Ausg?nge eines 3 Bit-Dualz?hlers mit den Bits d., d., d. werden einem DA-Umsetzer zugeführt, der analog zum jeweiligen Z?hlerstand eine Ausgangsspannung u. bildet. Gem?? der schrittweisen ?nderung der Dualzahl kann sich auch die Spannung u. nur schrittweise um jeweils eine Sp作者: 相信 時(shí)間: 2025-3-28 07:44
Optoelektronik,hrte Funktion ausüben. Da es sich dabei h?ufig nur um Varianten konventioneller Bauelemente handelt, wurden einige bereits im vorangegangenen Text besprochen: Fotowiderst?nde, Fotodioden bzw. Fotoelemente, Leuchtdioden, Anzeigebausteine und Bildr?hren. Im Folgenden sollen Fototransistoren und -thyri作者: Flatus 時(shí)間: 2025-3-28 11:35 作者: 廢止 時(shí)間: 2025-3-28 14:45 作者: ALLAY 時(shí)間: 2025-3-28 19:34 作者: Increment 時(shí)間: 2025-3-29 00:44 作者: ADORE 時(shí)間: 2025-3-29 07:02 作者: ungainly 時(shí)間: 2025-3-29 10:28 作者: cancellous-bone 時(shí)間: 2025-3-29 14:50
,MES — die neue Klasse von IT-Anwendungen, zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere ?Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel, der sog. Gatezone vom entgegengesetzten Leitungstyp. Diese hat den Anschluss ?Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse ?Source“ S und ?Drain“D.作者: nauseate 時(shí)間: 2025-3-29 17:31 作者: countenance 時(shí)間: 2025-3-29 19:59
,Einführung,erforderlich ist. Es h?lt sich dabei an die Vorgehensweise der Praxis mit einer Beschreibung der Betriebseigenschaften durch Kenndaten und Kennlinien, die der Hersteller üblicherweise im Datenblatt angibt作者: Temporal-Lobe 時(shí)間: 2025-3-30 00:35 作者: Paradox 時(shí)間: 2025-3-30 05:43 作者: GULP 時(shí)間: 2025-3-30 10:58
Relais,bet?tigt. Für eine ausreichende Magnetkraft ist eine bestimmte Erregerdurchflutung erforderlich (Θ = I. · N=50… 150 A bei mittlerer Baugr??e). Von der Erregung her unterscheidet man Gleichstrom- und Wechselstromrelais. Die Letzteren werden vor allem für die Energietechnik als ?Schaltschütze“ mit ?geblechtem“ Kern gebaut.作者: 使成波狀 時(shí)間: 2025-3-30 16:25 作者: 粗魯性質(zhì) 時(shí)間: 2025-3-30 20:14 作者: antipsychotic 時(shí)間: 2025-3-31 00:11 作者: harpsichord 時(shí)間: 2025-3-31 01:29 作者: pantomime 時(shí)間: 2025-3-31 08:07
https://doi.org/10.1007/b136111Ausgleichsbestreben). Durch den Zufluss von L?chern bzw. den Abfluss von Elektronen ergibt sich eine Potentialanhebung der n-Zone gegenüber der p-Zone. Die entstehende ?Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung U. übe作者: 撫慰 時(shí)間: 2025-3-31 11:01 作者: 流動(dòng)性 時(shí)間: 2025-3-31 14:31
Building a Short Video App with MERN,Wicklung unterstützen sich ihre Durchflutungen beim Aufbau des magnetischen Flusses Φ, der sich in den durchgehenden Hauptfluss Φ . und den Streufluss Φ . aufteilt. Die in den Wicklungen induzierten Spannungen u. und u. ergeben sich aus der Selbstinduktion (Faktor L), überlagert mit einem Anteil der作者: 錯(cuò) 時(shí)間: 2025-3-31 19:41 作者: fledged 時(shí)間: 2025-4-1 01:29
Jürgen Kletti,Rainer Deisenrothwei telleroder stabf?rmigen Elektroden in einem edelgasgefüllten Gef??. Durch ein ausreichend starkes elektrisches Feld zwischen beiden Elektroden werden freie Elektronen so beschleunigt, dass sie durch Sto?ionisation eine ?Zündung“ des Gases bewirken. Das somit leitf?hige Gasgemisch bezeichnet man 作者: Stable-Angina 時(shí)間: 2025-4-1 02:27 作者: 債務(wù) 時(shí)間: 2025-4-1 06:35
Datenerfassung und Shopfloor-Integration,Strom flie?t über einander abwechselnde n- und p-Zonen. . zeigt die Zonenfolge beim npn-Transistor, . beim dazu komplement?ren pnp-Transistor mit den Anschlüssen Emitter E, Basis B und Kollektor C. Die beiden pn-überg?nge kann man ersatzweise nach . als gegeneinander geschaltete Dioden darstellen mi作者: grovel 時(shí)間: 2025-4-1 14:02
Jürgen Kletti,Rainer Deisenrothchenverst?rker (T3) und einer Endstufe (T4). Die Schaltung hat zwei Eing?nge – mit P und N bezeichnet – und einen Ausgang A, jeweils bezogen auf Masse. Die Letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstuf作者: 支柱 時(shí)間: 2025-4-1 15:46 作者: Contend 時(shí)間: 2025-4-1 19:02 作者: Gene408 時(shí)間: 2025-4-2 02:24 作者: Headstrong 時(shí)間: 2025-4-2 06:24
Paul L. Huang MD, PhD,Paul L. Huang MD, PhDverdeutlicht mit .. Die Ausg?nge eines 3 Bit-Dualz?hlers mit den Bits d., d., d. werden einem DA-Umsetzer zugeführt, der analog zum jeweiligen Z?hlerstand eine Ausgangsspannung u. bildet. Gem?? der schrittweisen ?nderung der Dualzahl kann sich auch die Spannung u. nur schrittweise um jeweils eine Sp作者: 不再流行 時(shí)間: 2025-4-2 11:04
Bradycardia and Pacemakers/CRT,hrte Funktion ausüben. Da es sich dabei h?ufig nur um Varianten konventioneller Bauelemente handelt, wurden einige bereits im vorangegangenen Text besprochen: Fotowiderst?nde, Fotodioden bzw. Fotoelemente, Leuchtdioden, Anzeigebausteine und Bildr?hren. Im Folgenden sollen Fototransistoren und -thyri作者: gangrene 時(shí)間: 2025-4-2 13:05
Adam Opolski,Laurent Degos,Marika Pla. Die dem Transistor zugeführte und in W?rme umgesetzte (Verlust-) Leistung P muss notfalls über einen Kühlk?rper nach au?en so abgeleitet werden, dass eine überm??ige Erw?rmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur Tj h?chstens auf 75 …90 °C ansteigen, be
