標(biāo)題: Titlebook: Elektronik-Praktikum für Informatiker; Winfried Hahn Textbook 1971 Springer-Verlag Berlin · Heidelberg 1971 Aussage.Auswertung.Effekt.Elek [打印本頁] 作者: 小巷 時(shí)間: 2025-3-21 19:34
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書目名稱Elektronik-Praktikum für Informatiker讀者反饋
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作者: FACET 時(shí)間: 2025-3-21 23:30 作者: Classify 時(shí)間: 2025-3-22 02:11 作者: CHOKE 時(shí)間: 2025-3-22 08:24 作者: Ganglion 時(shí)間: 2025-3-22 11:30 作者: 問到了燒瓶 時(shí)間: 2025-3-22 14:55 作者: 問到了燒瓶 時(shí)間: 2025-3-22 18:04 作者: Cloudburst 時(shí)間: 2025-3-22 21:28
Verstehen, Verst?ndigung und Empathiealer, elektronischer Rechenanlagen geben. Dementsprechend erl?utert die erste Gruppe von Aufgaben die Wirkungsweise der Halbleiter-Bauelemente Dioden, Transistoren und Feldeffekttransistoren. Das Schwergewicht liegt dabei auf dem Erarbeiten und Auswerten von Kennlinien, mit denen das Verhalten diese作者: dyspareunia 時(shí)間: 2025-3-23 03:33 作者: convulsion 時(shí)間: 2025-3-23 06:44 作者: 獎(jiǎng)牌 時(shí)間: 2025-3-23 13:09
Konfliktl?sungen mit Mathematica?en von Gleichspannungen an den Transistor erreicht, die von den Wechselspannungseingangs-und Ausgangssignalen unabh?ngig sind. Diese Vorspannungen werden so eingestellt, da? ein geeigneter Gleichstrom durch den Transistor flie?t. Ein Eingangssignal wird zus?tzlich eingekoppelt und beeinflu?t den Emi作者: QUAIL 時(shí)間: 2025-3-23 16:29
https://doi.org/10.1007/978-3-322-89694-0esonders geeignet. In diesen Schaltkreisen wird der Transistor als ein elektronischer Schalter verwendet. In Fig. 5.1 ist zur Erl?uterung das Grundschema eines solchen Schaltkreises und die Ausgangscharakteristik einer Emitterschaltung dargestellt. Bei Basisstrom null (negative Spannung an der Basis作者: exclamation 時(shí)間: 2025-3-23 21:49 作者: extract 時(shí)間: 2025-3-24 00:07 作者: SUGAR 時(shí)間: 2025-3-24 05:35 作者: Stress-Fracture 時(shí)間: 2025-3-24 07:47
https://doi.org/10.1007/978-3-8349-4598-3r??en nur zweiwertig sein k?nnen, müssen die Speicherschaltkreise ebenfalls nur zwei stabile Zust?nde einnehmen k?nnen, denen dann die Werte “O” und “L” zugeordnet werden. Der einfachste derartige, bistabile Schaltkreis ist das Flipflop, dessen prinzipielle Funktion in Fig. 9.1 am Beispiel eines zwe作者: 接合 時(shí)間: 2025-3-24 12:45
https://doi.org/10.1007/978-3-8349-8508-8at als aktives Element vielseitige Anwendungsm?glichkeiten in Verst?rkerschaltungen mit Grenzfrequenzen im GHz-Bereich sowie in elektronischen Rechenanlagen als extrem schneller Schalter und vor allem als bistabiles Speicherelement. Die Tunneldiode besteht aus zwei p- bzw. n-dotierten Gebieten eines作者: 吃掉 時(shí)間: 2025-3-24 15:44
https://doi.org/10.1007/978-3-322-94781-9 Arbeitsprinzip in Rückkopplungs-, Energie-und Strukturspeicher eingeteilt werden. Bei Rückkopplungsspeichern werden, wie in Aufgabe 9 und 10 gezeigt, Elemente verwendet, die infolge ?u?erer (schaltungstechnischer) oder innerer Rückkopplung eine Strom-Spannungs-Kennlinie mit einem Bereich negativer 作者: 敏捷 時(shí)間: 2025-3-24 19:14 作者: 抗生素 時(shí)間: 2025-3-24 23:52 作者: JEER 時(shí)間: 2025-3-25 05:26 作者: 同義聯(lián)想法 時(shí)間: 2025-3-25 08:22 作者: Encoding 時(shí)間: 2025-3-25 15:21
Einleitungaler, elektronischer Rechenanlagen geben. Dementsprechend erl?utert die erste Gruppe von Aufgaben die Wirkungsweise der Halbleiter-Bauelemente Dioden, Transistoren und Feldeffekttransistoren. Das Schwergewicht liegt dabei auf dem Erarbeiten und Auswerten von Kennlinien, mit denen das Verhalten diese作者: cortex 時(shí)間: 2025-3-25 17:10
Transistorrstehen, wenn man den Strom in einem in Durchla?richtung vorgespannten p-n-übergang betrachtet. Ein solcher übergang (Fig. 2.1a) ist in Aufgabe 1 (Halbleiter-Dioden) erl?utert und mit der Art des Stromflusses nochmal schematisch dargestellt. Dabei ist die Konzentration der Ladungstr?ger (p-Gebiet: L作者: CLOUT 時(shí)間: 2025-3-25 21:35
Feldeffekt-Transistorenttransistor (FET) bezeichnet. Er besteht aus einem engen Kanal halbleitenden Materials, der oben und unten je einen p-n-übergang besitzt. An den beiden Enden ist der Kanal mit Kontakten S (Source, Quelle) bzw. D (Drain, Senke) abgeschlossen. Da der Kanal aus halbleitendem Silizium besteht, flie?t be作者: insert 時(shí)間: 2025-3-26 02:20
Transistor als Verst?rkeren von Gleichspannungen an den Transistor erreicht, die von den Wechselspannungseingangs-und Ausgangssignalen unabh?ngig sind. Diese Vorspannungen werden so eingestellt, da? ein geeigneter Gleichstrom durch den Transistor flie?t. Ein Eingangssignal wird zus?tzlich eingekoppelt und beeinflu?t den Emi作者: magnate 時(shí)間: 2025-3-26 04:33 作者: Foreknowledge 時(shí)間: 2025-3-26 12:23
Integrierte Transistor-Schaltkreise logischen Funktionen Konjunktion (UND — Gatter.), Disjunktion (ODER — Gatter) und Negation (NICHT — Gatter) realisieren. Wie Fig. 6.1 zeigt, wird den Gattern eine bestimmte Situation durch die Bet?tigung von Eingangsschaltern vorgegeben, w?hrend die Art der Verknüpfung durch die jeweilige Schaltung作者: 可憎 時(shí)間: 2025-3-26 16:32 作者: deadlock 時(shí)間: 2025-3-26 20:39 作者: 谷物 時(shí)間: 2025-3-26 22:01 作者: CERE 時(shí)間: 2025-3-27 02:02 作者: Assignment 時(shí)間: 2025-3-27 06:23 作者: ULCER 時(shí)間: 2025-3-27 13:22 作者: 眼界 時(shí)間: 2025-3-27 15:54 作者: Generic-Drug 時(shí)間: 2025-3-27 21:15 作者: adroit 時(shí)間: 2025-3-28 00:53
Transistor-Flipflopen um, d. h. jetzt hat der Ausgang A1 den Wert “O” und A2 den Wert “L”. Wird z. B. die am Ausgang A1 erscheinende Spannung als der im Flipflop gespeicherte Wert definiert, so wird das Flipflop bei A1 = “L” als gesetzt oder getastet, bzw. bei A1 = “O” als rückgesetzt oder gel?scht bezeichnet. Am Ausg作者: 倒轉(zhuǎn) 時(shí)間: 2025-3-28 02:25
https://doi.org/10.1007/978-3-531-94065-6m n-Gebiet gering ist, werden jedoch nur wenige L?cher durch freie Elektronen gefüllt werden — ein Vorgang, der als “Rekombination” bezeichnet wird. Die Mehrzahl der L?cher wird daher bei einem unsymmetrischen übergang nach Fig. 2.1b tiefer in das n-Gebiet eindringen k?nnen als bei einem symmetrisch作者: 偏狂癥 時(shí)間: 2025-3-28 06:16 作者: 冒號 時(shí)間: 2025-3-28 13:01 作者: 合適 時(shí)間: 2025-3-28 16:31 作者: Discrete 時(shí)間: 2025-3-28 19:50
Verstehen, Verst?ndigung und Empathiebrauch untersucht. Dabei werden vergleichende Aussagen über die heute industriell entwickelten Schaltkreistechniken erarbeitet. In einer dritten Aufgabengruppe werden schlie?lich Schaltungen und Materialien mit Speicherverhalten — Flipflop, Tunneldiode und Ferritkern — untersucht.作者: ENACT 時(shí)間: 2025-3-29 02:46 作者: Facilities 時(shí)間: 2025-3-29 05:16
Einleitungbrauch untersucht. Dabei werden vergleichende Aussagen über die heute industriell entwickelten Schaltkreistechniken erarbeitet. In einer dritten Aufgabengruppe werden schlie?lich Schaltungen und Materialien mit Speicherverhalten — Flipflop, Tunneldiode und Ferritkern — untersucht.作者: gait-cycle 時(shí)間: 2025-3-29 08:35 作者: 綁架 時(shí)間: 2025-3-29 14:35
https://doi.org/10.1007/978-3-322-85805-4OS-Logik in idealer Weise für alle Anwendungen geeignet, bei denen.ben?tigt werden. Dafür sind jedoch beim derzeitigen Stand der Technik die Schaltzeiten ungef?hr um den Faktor 10 langsamer als die der DTL- bzw. der TTL-Technik.作者: aesthetic 時(shí)間: 2025-3-29 19:32 作者: molest 時(shí)間: 2025-3-29 23:24 作者: Osteoporosis 時(shí)間: 2025-3-30 02:47
https://doi.org/10.1007/978-3-322-94781-9ine dauernde Energiezufuhr notwendig. Bei Ausfall der Versorgungsspannung geht die gespeicherte Information sofort verloren. Der Energieverbrauch ist daher betr?chtlich, und die Kosten je Speicherelement sind im allgemeinen sehr hoch. Dieser Speichertyp wird daher nur bei kleinen Speicherkapazit?ten verwendet.作者: 使堅(jiān)硬 時(shí)間: 2025-3-30 04:16 作者: IST 時(shí)間: 2025-3-30 09:00
