標(biāo)題: Titlebook: Einführung in die Physik des Transistors; Wolfgang W. G?rtner Book 1963 Springer-Verlag OHG., Berlin/G?ttingen/Heidelberg 1963 Datenverarb [打印本頁] 作者: MEDAL 時間: 2025-3-21 18:51
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作者: verdict 時間: 2025-3-21 22:35
http://image.papertrans.cn/e/image/304525.jpg作者: 反省 時間: 2025-3-22 04:25 作者: coalition 時間: 2025-3-22 06:36 作者: 設(shè)想 時間: 2025-3-22 11:58
Das Karzinom der weiblichen Genitalien,Die Gleichstromeigenschaften des Transistors werden am besten durch Zeichnen der Eingangs- und Ausgangskennlinien in einer Weise beschrieben, wie in den Abb. 8.1 bis 8.5 dargestellt ist. Es wird nun versucht, diese Kurven an Hand der früher abgeleiteten Gleichstromgrundgleichungen zu erkl?ren,. und作者: Defiance 時間: 2025-3-22 13:11
Transistoreigenschaften und ihre Abh?ngigkeit von Spannung, Strom, Frequenz und TemperaturDie Gleichstromeigenschaften des Transistors werden am besten durch Zeichnen der Eingangs- und Ausgangskennlinien in einer Weise beschrieben, wie in den Abb. 8.1 bis 8.5 dargestellt ist. Es wird nun versucht, diese Kurven an Hand der früher abgeleiteten Gleichstromgrundgleichungen zu erkl?ren,. und作者: Defiance 時間: 2025-3-22 17:47 作者: Generalize 時間: 2025-3-23 00:01
978-3-642-92856-7Springer-Verlag OHG., Berlin/G?ttingen/Heidelberg 1963作者: 提升 時間: 2025-3-23 04:47
https://doi.org/10.1007/978-3-642-91086-9org?nge ist hierbei die Verst?rkung, da in elektronischen Systemen und in übertragungsteilen unvermeidliche Energieverluste auftreten, w?hrend am Ausgang eines elektronischen Systems oft relativ hohe Leistungen ben?tigt werden, z. B. wenn elektromechanische Wandler, wie Lautsprecher, Schreibmaschine作者: Affirm 時間: 2025-3-23 06:33 作者: Ventilator 時間: 2025-3-23 10:14 作者: 不滿分子 時間: 2025-3-23 14:30
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?diet homogen sein, sondern kann v?llig willkürlich über das Volumen des Kristalls variieren. Besonders wichtig sind ?nderungen, bei denen der Leitungstyp des Kristalls von N- in P-Leitung oder umgekehrt übergeht.作者: 教育學(xué) 時間: 2025-3-23 19:32
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?diegang zu einem in Sperrichtung vorgespannten übergang, wo sie ?gesammelt“ werden. Man nennt den ersten übergang ?Emitterdiode“, den zweiten übergang ?Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flu?richtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch作者: 成份 時間: 2025-3-23 22:31
https://doi.org/10.1007/978-3-642-91087-6 die Kapazit?t des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann st??t man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten mu? die Basiszone sehr dünn gemacht w作者: AVID 時間: 2025-3-24 06:17
Die endovesicale Thermokoagulation,wischen dem Aufbau und dem elektrischen Verhalten des Systems bestehen. Auf der Grundlage dieser Theorie ist es m?glich, Transistoren mit spezifischen Eigenschaften zu entwickeln und die endgültigen Daten für gegebene Strukturen vorauszuberechnen. Diese Theorie stellt die Ausgangsbasis für den mit d作者: 貴族 時間: 2025-3-24 07:46 作者: 受傷 時間: 2025-3-24 10:44
Grundlegende Begriffe der Halbleiterphysikteilen; der Widerstand der Halbleiter liegt zwischen 10. und 10. Ωcm. Diese Klassifizierung ist ziemlich willkürlich, doch ist der Widerstand bei Zimmertemperatur das einzige gemeinsame Merkmal, durch welches alle Halbleiter gekennzeichnet werden k?nnen. Sonst gibt es keine grundlegenden Unterschied作者: 繼而發(fā)生 時間: 2025-3-24 15:53
Halbleitereigenschaften eingehen. Ihre experimentelle und theoretische Untersuchung ist Gegenstand der Festk?rperphysik (siehe [.]). Hier k?nnen jedoch nur solche Gesichtspunkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenh?ngen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessant作者: 抒情短詩 時間: 2025-3-24 22:51 作者: auxiliary 時間: 2025-3-24 23:33
Der Fl?chentransistor [, bis ,]gang zu einem in Sperrichtung vorgespannten übergang, wo sie ?gesammelt“ werden. Man nennt den ersten übergang ?Emitterdiode“, den zweiten übergang ?Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flu?richtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch作者: 不整齊 時間: 2025-3-25 05:39
Weiterentwicklungen des Fl?chentransistors und andere Transistortypen die Kapazit?t des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann st??t man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten mu? die Basiszone sehr dünn gemacht w作者: 邪惡的你 時間: 2025-3-25 09:34 作者: 少量 時間: 2025-3-25 15:12
Weiterentwicklungen des Fl?chentransistors und andere Transistortypens Transistors eingeschr?nkt wird. Au?erdem ist eine hohe Kollektorkapazit?t mit ihrer ungünstigen Wirkung auf das Hochfrequenzverhalten die Folge, weil die Raumladungsschicht zwischen zwei (entgegengesetzt) hochdotierten Zonen schmal ist.作者: incarcerate 時間: 2025-3-25 17:25 作者: 倔強不能 時間: 2025-3-25 21:14 作者: 四牛在彎曲 時間: 2025-3-26 04:06 作者: 否認 時間: 2025-3-26 06:19
Einführungang eines elektronischen Systems oft relativ hohe Leistungen ben?tigt werden, z. B. wenn elektromechanische Wandler, wie Lautsprecher, Schreibmaschinen, Hollerithmaschinen, Servomotoren usw., betrieben werden sollen.作者: Gene408 時間: 2025-3-26 11:23
Halbleitereigenschaftennkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenh?ngen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessanten Gebiet der Festk?rperbauelemente widmen wollen, sei die angegebene Literatur [. bis .] empfohlen.作者: Filibuster 時間: 2025-3-26 13:41
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?diee zwischen Halbleitern und Isolatoren. Charakteristisch für viele Halbleiter ist jedoch auch die gro?e Empfindlichkeit ihrer Leitf?higkeit gegenüber geringen Beimengungen von Fremdstoffen und gegenüber der Temperatur.作者: 過去分詞 時間: 2025-3-26 18:37
Ergebnisse der Chirurgie und Orthop?dieon Transistoren n?tige Theorie beschrieben. Es wird eine quantitative mathematische Beschreibung des Transistorverhaltens abgeleitet, wobei die Geometrie und die Materialeigenschaften mit dem elektrischen Verhalten des Bauelementes in Beziehung gesetzt werden.作者: FAST 時間: 2025-3-27 00:38
Der Fl?chentransistor [, bis ,]on Transistoren n?tige Theorie beschrieben. Es wird eine quantitative mathematische Beschreibung des Transistorverhaltens abgeleitet, wobei die Geometrie und die Materialeigenschaften mit dem elektrischen Verhalten des Bauelementes in Beziehung gesetzt werden.作者: abracadabra 時間: 2025-3-27 02:15
https://doi.org/10.1007/978-3-642-91086-9ang eines elektronischen Systems oft relativ hohe Leistungen ben?tigt werden, z. B. wenn elektromechanische Wandler, wie Lautsprecher, Schreibmaschinen, Hollerithmaschinen, Servomotoren usw., betrieben werden sollen.作者: ANT 時間: 2025-3-27 06:10
,Die Schu?verletzungen der Hand,nkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenh?ngen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessanten Gebiet der Festk?rperbauelemente widmen wollen, sei die angegebene Literatur [. bis .] empfohlen.作者: 沉積物 時間: 2025-3-27 11:48
Grundlegende Begriffe der Halbleiterphysike zwischen Halbleitern und Isolatoren. Charakteristisch für viele Halbleiter ist jedoch auch die gro?e Empfindlichkeit ihrer Leitf?higkeit gegenüber geringen Beimengungen von Fremdstoffen und gegenüber der Temperatur.作者: Gesture 時間: 2025-3-27 16:52 作者: conscribe 時間: 2025-3-27 21:21 作者: 同步左右 時間: 2025-3-27 23:55
Lecture Notes in Computer ScienceA rather complete description of the derivation of the finite difference form of the transport equation can be found in Reference 1; therefore that derivation will not be discussed here. Attention will be focused on the additional equations required to solve the transport equation which are often re作者: 石墨 時間: 2025-3-28 02:48 作者: Aprope 時間: 2025-3-28 10:17
Book 2014When a word describing an emotion is said to be untranslatable, is that emotion untranslatable also? This unique study focuses on three word-concepts on the periphery of Europe, providing a wide-ranging survey of national identity and cultural essentialism, nostalgia, melancholy and fatalism, the production of memory and the politics of hope.
