標題: Titlebook: Einführung in die Halbleitertechnologie; Waldemar Münch Textbook 1993 B. G. Teubner Stuttgart 1993 Entwicklung.Fortschritt.Handel.Industri [打印本頁] 作者: ACRO 時間: 2025-3-21 19:14
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作者: 鞭打 時間: 2025-3-21 21:57
Epitaxie,rscheidet Homoepitaxie und Heteroepitaxie. Im ersteren Falle sind die Werkstoffe der Epitaxieschicht und des Substrates — von der Dotierung abgesehen — identisch; im zweiten Falle besteht die Epitaxieschicht aus einem Material, das von demjenigen des Substrates verschieden ist.作者: affinity 時間: 2025-3-22 01:37 作者: 一小塊 時間: 2025-3-22 07:45
Halbleiterbauelemente,en. In den folgenden Abschnitten soll die Fertigung der wichtigsten Halbleiterbauelemente erl?utert werden. Eine Vollst?ndigkeit hinsichtlich der Bauelemente und der technologischen Verfahren kann dabei nicht angestrebt werden.作者: 變白 時間: 2025-3-22 09:38 作者: 砍伐 時間: 2025-3-22 13:41 作者: 砍伐 時間: 2025-3-22 19:34 作者: Abrupt 時間: 2025-3-23 00:20 作者: Texture 時間: 2025-3-23 04:05
Benyamin Ghojogh,Mark Crowley,Ali Ghodsiicherstellen. Die für die Funktion der Schaltung notwendigen elektrischen Verbindungen werden durch Leiterbahnen auf der Chipoberfl?che realisiert. In dem folgenden Abschnitt sollen zun?chst die wichtigsten Methoden der Isolation beschrieben werden.作者: PAGAN 時間: 2025-3-23 06:58 作者: Mercantile 時間: 2025-3-23 12:54 作者: alcoholism 時間: 2025-3-23 16:19
Ties, Time Series, and Regression,Halbleiterbauelemente, die nach den in den Kapiteln 2 bis 6 beschriebenen Verfahren hergestellt wurden, sind in der Regel nicht unmittelbar in einer elektronischen Schaltung verwendbar. Mit einer geeigneten Aufbau- und Verbindungstechnik sollen vor allem folgende Funktionen erfüllt werden:作者: Arteriography 時間: 2025-3-23 18:06 作者: Palliation 時間: 2025-3-24 01:37
Strukturierung,Die Strukturierung von dünnen Schichten und Halbleiteroberfl?chen spielt eine zentrale Rolle in der Halbleitertechnologie. Dabei lassen sich verschiedene Methoden der Strukturdefinition und der Strukturerzeugung anwenden.作者: 有角 時間: 2025-3-24 03:31 作者: Distribution 時間: 2025-3-24 10:24 作者: 生氣地 時間: 2025-3-24 11:35
Dotierungsverfahren,e homogene Dotierung angestrebt wird, erfordern die Funktionsprinzipien der meisten Halbleiterbauelemente eine inhomogene Dotierung, vorwiegend in der Form von pn-überg?ngen. Dementsprechend werden in den nachfolgenden Abschnitten haupts?chlich Verfahren behandelt, die eine inhomogene Verteilung der St?rstellen zum Ziel haben.作者: 是貪求 時間: 2025-3-24 18:06
Halbleiterbauelemente,en. In den folgenden Abschnitten soll die Fertigung der wichtigsten Halbleiterbauelemente erl?utert werden. Eine Vollst?ndigkeit hinsichtlich der Bauelemente und der technologischen Verfahren kann dabei nicht angestrebt werden.作者: Sinus-Node 時間: 2025-3-24 20:01 作者: 難理解 時間: 2025-3-25 01:16
978-3-519-06167-0B. G. Teubner Stuttgart 1993作者: Customary 時間: 2025-3-25 05:38
http://image.papertrans.cn/e/image/304244.jpg作者: Mechanics 時間: 2025-3-25 07:37 作者: Range-Of-Motion 時間: 2025-3-25 14:19
Approaches of the Concept of Style,rscheidet Homoepitaxie und Heteroepitaxie. Im ersteren Falle sind die Werkstoffe der Epitaxieschicht und des Substrates — von der Dotierung abgesehen — identisch; im zweiten Falle besteht die Epitaxieschicht aus einem Material, das von demjenigen des Substrates verschieden ist.作者: Malaise 時間: 2025-3-25 16:10 作者: 包裹 時間: 2025-3-25 22:30
Introduction to Learning from Data,en. In den folgenden Abschnitten soll die Fertigung der wichtigsten Halbleiterbauelemente erl?utert werden. Eine Vollst?ndigkeit hinsichtlich der Bauelemente und der technologischen Verfahren kann dabei nicht angestrebt werden.作者: 大都市 時間: 2025-3-26 02:22 作者: 難聽的聲音 時間: 2025-3-26 05:27
Approaches of the Concept of Style,rscheidet Homoepitaxie und Heteroepitaxie. Im ersteren Falle sind die Werkstoffe der Epitaxieschicht und des Substrates — von der Dotierung abgesehen — identisch; im zweiten Falle besteht die Epitaxieschicht aus einem Material, das von demjenigen des Substrates verschieden ist.作者: 與野獸博斗者 時間: 2025-3-26 10:36
Awareness of the History of Art,e homogene Dotierung angestrebt wird, erfordern die Funktionsprinzipien der meisten Halbleiterbauelemente eine inhomogene Dotierung, vorwiegend in der Form von pn-überg?ngen. Dementsprechend werden in den nachfolgenden Abschnitten haupts?chlich Verfahren behandelt, die eine inhomogene Verteilung der作者: 愛好 時間: 2025-3-26 13:36 作者: handle 時間: 2025-3-26 17:58
Benyamin Ghojogh,Mark Crowley,Ali Ghodsiellung der Einzelkomponenten erfolgt mittels der in Kapitel 8 geschilderten Methoden. In vielen F?llen — insbesondere bei Schaltungen auf der Basis von Bipolartransistoren — sind zus?tzliche Proze?schritte erforderlich, welche die elektrische Isolation der Bauelemente innerhalb des Halbleiterchips s作者: 織物 時間: 2025-3-26 21:09
8樓作者: remission 時間: 2025-3-27 03:24
8樓作者: plasma-cells 時間: 2025-3-27 08:21
9樓作者: dapper 時間: 2025-3-27 09:45
9樓作者: Cerumen 時間: 2025-3-27 13:41
9樓作者: 偶然 時間: 2025-3-27 20:44
9樓作者: Esalate 時間: 2025-3-27 23:13
10樓作者: 倒轉 時間: 2025-3-28 04:15
10樓作者: Calculus 時間: 2025-3-28 08:41
10樓作者: 哭得清醒了 時間: 2025-3-28 13:55
10樓
